专利名称：对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺方法专利类型：发明专利发明人：张振厚,黄文符申请号：CN98114306.7申请日：19980914公开号：CN1247906A公开日：20000322
摘要：本装置属于利用磁控溅射靶制备合金及化合物薄膜之工艺方法,结构为一对向磁控溅射靶,其中一个靶上设有靶材A,另一靶上设有靶材B,则在基片上形成的薄膜合金为A+B,在加工过程中由于改变每个靶的溅射速率可以随时和任意改变合金的比例,其比例范围在100∶5～100。优点:结构简单,安装使用方便,在对靶上设有两种不同金属的靶材就可以在一定范围内(100∶5～100)制备任意比例的合金及化合物薄膜。
申请人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心
地址：110003 辽宁省沈阳市和平区三好街96号
国籍：CN
代理机构：中国科学院沈阳专利事务所
代理人：朱光林
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