专利名称：对铜、钨和多孔低κ电介质具有增强的相容性的半
水性聚合物移除组合物
专利类型：发明专利
发明人：W·R·格米尔,G·韦斯特伍德申请号：CN201280026969.5申请日：20120531公开号：CN103782368A公开日：20140507
摘要：提供了有效的用于从半导体衬底移除后蚀刻处理(PET)聚合物膜和光致抗蚀剂的一种组合物。该组合物展现出优异的聚合物膜移除能力，而同时维持了对于铜和低κ电介质的相容性，并且包含水、乙二醇、二醇醚溶剂、吗啉代丙胺和腐蚀抑制剂化合物，以及任选地包含一种或多种金属离子螯合剂、一种或多种其他极性有机溶剂、一种或多种叔胺、一种或多种铝腐蚀抑制剂、以及一种或多种表面活性剂。
申请人：安万托特性材料股份有限公司
地址：美国新泽西州
国籍：US
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：曹立莉
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