专利名称：磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器专利类型：发明专利发明人：王学才,王珊,李俊英申请号：CN200810016397.8申请日：20080528公开号：CN101354951A公开日：20090128
摘要：本发明提供一种磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，该电抗器是在铁芯上设置由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路，通过调节可控硅触发导通角来控制附加直流励磁电流，利用附加直流电流励磁磁化铁芯调整不饱和区域和饱和区域的面积或磁阻，以改变并联磁路中不饱和区域的磁化程度和饱和区域的磁饱和程度实现电抗值的连续、快速可调。该电抗器可用于高低压电网的动态无功补偿和滤波、限制工频过电压、抑制电压波动等领域。使用本发明的电抗器可使铁芯的损耗、噪声、谐波含量大幅度降低，具有高可靠性、成本低和易于加工的优点。
申请人：王学才
地址：250014 山东省济南市历下区文化东路45号1号楼2单元201号
国籍：CN
代理机构：济南信达专利事务所有限公司
代理人：姜明
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