(12)发明专利申请
(21)申请号 CN201810862220.3 (22)申请日 2018.08.01
(71)申请人 德克萨斯仪器股份有限公司
地址 美国德克萨斯州
(10)申请公布号 CN109390332A
(43)申请公布日 2019.02.26
(72)发明人 A·C·阿帕斯瓦米;J·P·迪萨罗
(74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 赵志刚
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
()发明名称
具有快速响应和高瞬态电流的ESD器件
(57)摘要
本申请公开具有对高瞬态电流快速响应的
静电放电(ESD)器件(例如,300)。ESD器件包括短脉冲放电(SPD)路径和长脉冲放电(LPD)路径。SPD路径提供对ESD事件的鲁棒响应,并且SPD路径触发LPD路径的自偏置配置。有利地,SPD路径通过使短脉冲电流(诸如充电器件模型(CDM)电流)迅速放电来减少ESD电压过冲的风险,而LPD路径提供长脉冲电流(诸如人体模型(HBM)电流)的有效放电。在一个实施方式中,例如,SPD
路径包括MOS晶体管(例如,322),并且LPD包括双极晶体管(例如,324),该双极晶体管具有耦接到MOS晶体管的源极(例如,344)的基极(例如,342)。
法律状态
法律状态公告日
2019-02-26 2019-02-26 2020-07-07
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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