专利名称：半导体基片及其制造方法专利类型：发明专利发明人：坂口清文,米原隆夫申请号：CN96112122.X申请日：19960801公开号：CN1152187A公开日：19970618
摘要：一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：使用扩散法将能控制导电类型的元素扩散进硅衬底，形成扩散区；在扩散区中形成多孔层；在多孔层上形成无孔单晶层；粘接无孔单晶层与底部衬底，同时提供其一个表面与无孔单晶层粘接而另一表面与底部衬底粘接的绝缘层；以及除去多孔层。
申请人：佳能株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
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