（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201510310116.X （22）申请日 2015.06.08
（71）申请人 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司
地址 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
（10）申请公布号 CN104851781A
（43）申请公布日 2015.08.19
（72）发明人 钮应喜;杨霏
（74）专利代理机构 北京安博达知识产权代理有限公司
代理人 徐国文
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种N型低偏角碳化硅外延片的制备方法
（57）摘要
本发明提供一种N型低偏角碳化硅外延片
的制备方法，包括以下步骤：衬底的准备、在线刻蚀衬底、缓冲层的生长和外延层的生长，其中外延层的生长采用了“生长、刻蚀、吹拂、再生长”的方法。该方法在生长N型低偏角碳化硅外延片的过程中，有效地降低基面位错密度，减少腔体内沉积物，从而降低了由外来颗粒物引起的三角形缺陷，提高碳化硅外延材料的质量，加工成本低，适合工业化生产。
法律状态
法律状态公告日
2015-08-19 2015-08-19 2015-12-02 2015-12-02 2020-04-14
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态信息
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权利要求说明书
一种N型低偏角碳化硅外延片的制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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