专利名称：电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方
法
专利类型：发明专利发明人：李勇
申请号：CN201310231978.4申请日：20130609公开号：CN104241246A公开日：20141224
摘要：本发明提供了电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。其中，在电熔丝结构的形成方法中，先在半导体衬底上形成纳米线，之后刻蚀部分厚度的衬底，使所述纳米线凸起于半导体衬底表面，再在所述纳米线的两端掺杂离子，以形成电熔丝结构。上述技术方案方法简单，形成的电熔丝结构新颖，实现了形成的电熔丝结构的多样性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容