单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法[发明专利]

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专利名称：单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：王彦硕,陈诺夫,白一鸣,黄添懋,陈晓峰,张汉申请号：CN200910078559.5申请日：20090225公开号：CN101814538A公开日：20100825

摘要：本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面。

申请人：中国科学院半导体研究所

地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号

国籍：CN

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：汤保平

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