专利名称：硅和硅锗纳米线结构专利类型：发明专利
发明人：K·J·库恩,S·金,R·里奥斯,S·M·赛亚,M·D·贾尔斯,A·卡
佩尔拉尼,T·拉克什特,P·常,W·瑞驰梅迪
申请号：CN201610421227.2申请日：20111123公开号：CN105923602A公开日：20160907
摘要：本申请公开了硅和硅锗纳米线结构。描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：何焜
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