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一种自生长晶种调控镍钴锰酸锂生长的制备方法[发明专利]

来源:爱站旅游
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种自生长晶种调控镍钴锰酸锂生长的制备方法专利类型:发明专利

发明人:孟博,杜显振,魏东,关成善申请号:CN201611181124.X申请日:20161220公开号:CN106745335A公开日:20170531

摘要:本发明公开了一种自生长晶种调控镍钴锰酸锂生长的制备方法,具体包括以下步骤:通过氨水以及碱调节底液氨水浓度和PH值,在一定转速下,将混合盐、碱、氨水分别按不同的流量滴加到反应釜中,在初期,保持氨水以及PH值在一定范围内;通过停止碱液滴加实现由初期到后期的过渡;在后期,同样将混合盐、碱、氨水分别按不同的流量滴加到反应釜中,保持氨水以及PH值在一定范围内,持续滴加,滴加结束后陈化;将反应液洗涤离心,沉淀物干燥得到镍钴锰氢氧化物前驱体,最后将前驱体与锂源按一定比例混合后,进行高温烧结得到镍钴锰酸锂正极材料。该方法提高了产品的颗粒粒径分布的均匀性,球形度以及振实密度。

申请人:山东精工电子科技有限公司

地址:277800 山东省枣庄市泰国工业园复元五路

国籍:CN

代理机构:济南泉城专利商标事务所

代理人:张世静

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