专利名称：一种利用整流死区为低压供电的电路专利类型：实用新型专利发明人：曹磊
申请号：CN201620277513.1申请日：20160406公开号：CN205566131U公开日：20160907
摘要：本实用新型公开了一种利用整流死区为低压供电的电路，包括整流桥Q、熔断器FU、电阻R1、电容C和MOS管Q1，所述整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3分别连接220V交流电两端，整流桥Q引脚2分别连接二极管D1正极、MOS管Q1的D极和电阻R1，电阻R1另一端连接电阻R2，电阻R2另一端分别连接接地电阻R4和电阻R3，电阻R3连接微控制器的过零检测端，微处理器的IO口连接MOS管Q1的G极，MOS管Q1的S极连接低压系统。本实用新型利用此死区电压给低电压系统供电，大大节省了空间及成本，且有效提供产品的功率因数。
申请人：上海联矽智能科技有限公司
地址：200120 上海市浦东新区上丰路977号1幢B座345室
国籍：CN
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