一种以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201710587064.X （22）申请日 2017.07.18

（71）申请人 深圳市泽纬科技有限公司

地址 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海

（10）申请公布号 CN107151002B

（43）申请公布日 2019.09.06

书

商务秘书有限公司)

（72）发明人 袁颂东;朱星;袁泽纬;熊剑;江国栋 （74）专利代理机构 深圳市徽正知识产权代理有限公司

代理人 李想

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种以浓硫酸为插层剂制备单层或寡层氮化硼纳米片的方法

（57）摘要

本发明提供一种以浓硫酸为插层剂制备单

层或寡层氮化硼纳米片的方法，包括如下步骤：室温下，将市售的块体氮化硼原料与浓硫酸均匀混合，搅拌，使浓硫酸插入氮化硼层间，得到均匀混合溶液；将均匀混合溶液快速倒入定量超纯水中，进行超声分散，得到氮化硼分散液；将氮化硼分散液经抽滤，洗涤至抽滤液pH值为中性后，再将滤渣均匀地分散到超纯水中，得到均匀

分散液；将均匀分散液静置，去除大块未被剥离的氮化硼，取上层清液，即得到氮化硼纳米片分散液；将氮化硼纳米片分散液中的氮化硼纳米片分离出来，干燥，即得到产品氮化硼纳米片。本发明具有反应设备简单、反应时间短、成本低、产率高、环境友好、易于规模化生产、产品质量好等特点。

法律状态

法律状态公告日2017-09-12 2017-09-12 2017-09-12 2017-10-10 2017-10-10 2019-09-06

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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