２０１３年２月 第３ｌ卷第１期 低温与特气 ＶｏＬ ３１，Ｎｏ．１ Ｉｚｎｖ Ｔｅｍｐｅｍｔａｒｅ ａｎｄ Ｓｐｅｃｉ脚Ｇａｓｅｓ Ｆｅｂ．，２０１３ ・综述评论・ 含氟电子气体研究进展 李盛姬 ，黄雪静２，齐 海 ，张建君 （１．浙江省化工研究院有限公司，浙江杭州３１００２３；２．大庆油田采油工程研究院，黑龙江大庆１６３４５３） 摘要：含氟电子气体在半导体／电子工业中主要用作清洗剂和蚀刻剂。综述了含氟电子气体品种、性能及其研究进 展，指出研究方向与新一代含氟电子气体，以供同仁参考。 关键词：电子气体；清洗剂；氟化工；半导体 中图分类号：Ｆ４２６．７ 文献标志码：Ａ 文章编号：１００７－７８０４（２０１３）０１—０００１．０５ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００７－７８０４．２０１３．Ｏ１．００１ Ｓｔａｔｅ—ｏｆ－ｔｈｅ—Ａｒｔ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｇａｓｅｓ Ｕｓｅｄ ｉｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ ＬＩ Ｓｈｅｎｇｊｉ ，ＨＵＡＮＧ Ｘｕｅｊｉｎｇ。，ＱＩ Ｈａｉ ，ＺＨＡＮＧ Ｊｉａｎｊｕｎ （Ｉ．Ｚｈｅｊｉａｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ ３１００２３，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｉｎ Ｄａｑｉｎｇ Ｏｉｌｉｆｅｌｄ，Ｄａｑｉｎｇ １６３４５３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇａｓｅｓ ｗｅｒｅ ｍａｉｎｌｙ ｕｓｅｄ ｉｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ／ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｉｎｄｕｓｔｒｙ．Ｉｎ ｔｉｈｓ ｐａｐｅｒ，ｔｈｅ ｓｔａｔｅ ｏｆ ａｒｔ ｏｆｔｈｅ ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｅｌｃｅｔｒｏｎｉｃ ｇａｓｅｓ ＷｆｌＳ ｓｔａｔｅｄ．ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｔｈｅ ｄｉｆｅｒｅｎｔ ｖａｒｉｅｔｙ ａｎｄ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．Ｔｈｅ ｒＢｓｅａＩ－ｃｈ ｉｎｔｅｒｅｓｔｓ ｉｎ ｆｕｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｎｅｗ ｋｉｎｄ ｏｆｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇａｓｅｓ ｗｅｒｅ ｐｏｉｎｔｅｄ ｏｕｔ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇａｓ；ｅｔｃｈｉｎｇ；ｃｌｅａｎｉｎｇ；ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｉｎｄｕｓｔｒｙ；ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ 电子气体是发展集成电路、光电子、微电子， 在全球电子气体市场上，氟系列占３０％左右。 特别是超大规模集成电路、液晶显示器件、半导体 含氟电子气体主要用作清洗剂和蚀刻剂。 发光器件和半导体材料制造过程中不可缺少的基础 性支撑源材料，它被称为电子工业的“血液”和 １含氟清洗气体 “粮食”，它的纯度和洁净度直接影响到光电子、 微电子元器件的质量、集成度、特定技术指标和成 品率，并从根本上制约着电路和器件的精确性和准 半导体清洗工艺主要是去除硅片上的粒子和金 确性。在硅片制造厂，一个硅片需要两到三个月的 属污染物、有机物，在蚀刻、布线工序中的抗蚀荆 工艺流程，完成４５０道或更多的工艺步骤，才能得 去胶、去除化合物，以及ＣＭＰ（化学机械抛光） 到有各种电路图案的芯片。这个过程包括外延、成 后的清洗 。 膜、掺杂、蚀刻、清洗、封装等诸多工序，需要的 半导体ＩＣ制程主要以离子注入、扩散、外延生 高纯电子化学气体及电子混合气高达３Ｏ多种，且 长及光刻四项基础工艺为基础逐渐发展起来。由于集 每一种气体应用在特定的工艺步骤中。目前国外有 成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中， 美国ＡＰＣＩ、杜邦、在台代理商三福化工和日本三 如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路 井东亚、旭硝子、昭和电工，以及ＣｅｎＴｒａｌ Ｇｌａｓｓ等 功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失 公司垄断着全球电子气体市场。 效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了 收稿日期：２０１２．０８－２１ ２ 低温与特气 第３ｌ卷 要排除外界污染源外，集成电路制造步骤如高温扩 较低，常温下以气相存在，因此非常容易进行干法 气相清洗。 散、离子注入前等均需要进行清洗工作。 含氟清洗剂在半导体和电子工业清洗尤其是干 法清洗中表现出了非常好的性能。含氟清洗剂沸点 含氟清洗剂主要包括ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ。、ｃ— Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣＦ２Ｏ、Ｆ２等，具体见表１。 表１含氟清洗气体 Ｔａｂｌｅ １ Ｆｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｇａｓｅｓ 》 传统含氟清洗气体主要包括四氟化碳（ＣＦ４）、 六氟乙烷（Ｃ：Ｆ ）、八氟丙烷（Ｃ，Ｆ８）、八氟环丁 烷（ｅ—ｃ Ｆ。）、六氟化硫（ＳＦ６）、三氟化氮（ＮＦ，） 等品种，在半导体清洗中，主要以原位ｃ 与 ＣＦ 等全氟碳化合物（ＰＦＣ）清洗为主。 随着环境要求的不断提高，半导体工业中的 ＰＦＣｓ排放越来越受到全球的重视。化学气相沉积 利用远程ＮＦ３清洗代替原有的原位氟碳化合 物（如Ｃ Ｆ 、ｃＦ ）清洗。远程ＮＦ 清洗是指先将 ＮＦ 等离子化，解离成Ｆ离子或原子，然后再让Ｆ 离子或原子进入ＣＶＤ腔体清洗残留物。远程ＮＦ 清洗可高达９５％一９９％的利用率，可以减少＞ ９５％的ＰＦＣｓ排放量。远程Ｎ 清洗与氟碳化合物 原位清洗效果及ＰＦＣｓ排放比较见表２ Ｊ。 但该远程ＮＦ 清洗过程将会产生更多的副产 物Ｆ２、ＨＦ与ＮＯｘ，无疑会增加后续废水／废气处 理的负荷与难度，后处理系统价格昂贵。而且ＮＦ３ 具有爆炸性。 传统含氟清洗气体如ＰＦＣｓ（包括ＣＦ 、Ｃ Ｆ Ｃ３Ｆ８、ｃ—Ｃ４Ｆ８等）、ＳＦ６、ＮＦ３的ＧＷＰ值很高，而 且后处理系统复杂且价格昂贵。 （ＣＶＤ）腔体清洗所用的氟碳化合物则是半导体工 业中最大的ＰＦＣｓ排放源。寻找替代清洗剂被认为 是最有效的ＰＦＣｓ排放减量／消除方法之一。 表２远程ＮＦ 清洗与氟碳化合物 原位清洗效果及ＰＦＣｓ排放比较 Ｔａｂｌｅ ２ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ａｎｄ ＰＦＣｓ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｂｅｔｗｅｅｎ ｒｅｍｏｔｅ ＮＦ３ ａｎｄ ｉｎ—ｓｉｔｕ ｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ ｃｌｅａｎｉｎｇ 新一代含氟清洗气体主要往ＧＷＰ值低甚至为 零、清洗效率高、后处理简单这三个方向发展。代 表性的新一代含氟清洗气体是ＣＦ：０－６。Ｊ，其它如 Ｆ２、ＣｌＦ３等。 表３为各清洗剂的清洗效率比较。由表３结果 可知，与传统含氟清洗气体相比，ｃＦ２Ｏ、Ｆ２这两 种清洗剂的清洗效率非常高，可大于９９％。 １９９８—２００２，日本先端研究院（Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＩＩｌｓｔｉ— ｔｕｔｅ ｏｆ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｅａａｈ，ＲＩＴＥ）一 直致力于替代清洗剂的研究，并推荐ｃＦ Ｏ作为新 第１期 李盛姬，等：含氟电子气体研究进展 ３ 的替代清洗剂。ＣＦ Ｏ的ＧＷＰ值约为１，大气寿命 近似为零，环境非常友好。与传统清洗剂Ｃ：Ｆ 、 ＮＦ 相比，ＣＦ２Ｏ的环境友好优势非常明显，具有 １０９７０，ＣＦ２Ｏ／Ｃ２Ｆ６＝１／９２００；ＭＭＴＣＥ值ＣＦ２０／ ＮＦ３＝１／１０，ＣＦ２Ｏ／Ｃ２Ｆ６＝１／１００。另夕 ，ＣＦ２Ｏ爆 炸可能性为０，与Ｓｉｌ 混合的安全比例范围非常 低的ＧＷＰ和ＭＭＴＣＥ，ＧＷＰ值ＣＦ２Ｏ／ＮＦ３＝１／ 宽。 表３含氟清洗气体清洗效率比较 Ｔａｂｌｅ ３ Ｃｌｅａｎｉｎｇ ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ ｌｆｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｇａｓｅｓ 尽管ｃＦ２Ｏ属有毒物质，但废气可通过后续水 洗涤轻易去除，后处理系统简单，后处理成本低。 使用ｃＦ２Ｏ替代ＰＦＣｓ清洗剂，相当于降低了９６％ 的ＰＦＣｓ排放量。 ＣＦ２Ｏ作为ＣＶＤ系统清洗剂的清洗工艺如图ｌ 所示。 图１ ＣＦ２Ｏ清洗剂ＣＶＤ系统 Ｆｉｇ．Ｉ ＣＶＤ ｓｙｓｔｅｍ ｕｓｉｎｇ ＣＦ２Ｏ ａｓ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｇａｓ 可见，作为新一代含氟清洗气体，ｃＦ２Ｏ清洗 效率高，后处理简单，且环境友好，具有极大的优 势。 １９９８年，提出ＣｌＦ３是一种较有前景的多晶硅 腔体清洗剂，其ＧＷＰ与ＯＤＰ值均为０。Ｃ１Ｆ 特别 适合于原位ＣＶＤ腔体清洗，无需等离子化，在低 温下就可进行。但是，由于Ｃ１Ｆ 具有极大的活性， 有很强的氧化性，遇水马上发生激烈反应；与有机 物接触会立即燃烧，而且可与大部分无机物反应， 这些特性给使用与储运都带来很大的危险，因此未 能大规模应用。 Ｆ２的ＧＷＰ值与ＯＤＰ值均为零，环境友好，并 且清洗效率高，被认为是一种可能的ＣＶＤ腔体 ＰＦＣｓ清洗剂的替代品。但是，人们考虑到其ＥＳＨ （Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ，Ｓａｆｅｔｙ ａｎｄ Ｈｅａｌｔｈ）危险性，而且Ｆ２ 需使用高压钢瓶，给储运带来很大困难，因此未受 到特别重视。现在有公司发明了Ｆ 现场发生器 ＰＯＵ 引，ＰＯＵ Ｆ：发生器将无水ＨＦ电解为Ｆ２，之 后再将剩余ＨＦ与其它杂质除去。但ＰＯＵ阳极 （碳电极）容易发生爆炸，而且ＨＦ有毒且腐蚀性 很强，而Ｆ２也属高毒性、强氧化性物质。在低ｋ 沉积腔体清洗过程中，Ｆ２会产生一定量的ＰＦＣｓ副 产物如ｃＦ４。 ２含氟蚀刻气体 含氟蚀刻剂主要用于干法蚀刻，干法蚀刻有效 克服了湿法蚀刻的致命缺陷，已成为亚微米尺寸下 蚀刻器件的最主要方法，广泛应用于半导体或 ＬＣＤ前段制程¨。－１２］。含氟蚀刻剂品种主要包括 ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６、ｃ－Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、 Ｃ Ｆ。等，具体用途与特点见表４。 ＣＦ 这种含氟有机化合物用于蚀刻二氧化硅和 氮化硅这样的介质材料已经有很多年了。在氧化膜 的干法蚀刻中，含氟有机物是主要的蚀刻气体，如 ｃ．Ｃ Ｆ８在高电场下，离化成等离子体和自由基 （Ｒａｄｉｃａ１），包含ＣＦ’，ＣＦ２’，ＣＦ３ 等，然后自由 基与二氧化硅反应完成蚀刻，其反应式为：ＣＦ ＋ ＳｉＯ２ ＳｉＦ４＋ＣＯ／ＣＯ２。 含氟有机物往往与其它无机气体一起使用，如 含氟有机物与Ａｒ一起配成蚀刻剂， 往往是大量 的。惰性气体Ａｒ一方面可以稀释反应气体，另一 方面大量的Ａｒ轰击被蚀刻体的表面，可以加快蚀 刻的速率。 另外，在蚀刻过程中由于和光刻胶反应会生成 大量的反应生成物，为（ｃ—Ｈ） 聚合物，用Ｏ：可 以帮助除去它们。 反应中，ＣＦ基团是最关键的因子，Ｆ是起主 要蚀刻作用的，但它和氧化膜（ＳｉＯ ）和氮化膜 （ｓｉ。Ｎ ）反应，速率相差不大，因此蚀刻速率选择 比低；而Ｃ的作用是生成（Ｃ—Ｈ） 聚合物等，优点 是有利于提高蚀刻选择比，缺点是过多的聚合物会 在蚀刻过程中堵塞孔，造成蚀刻中止（Ｅｔｃｈ ｓｔｏｐ）， ４ 低温与特气 第３ｌ卷 最终导致开孔不良。所以，不同的蚀刻工艺要求使 ＣＯ来平衡ｃ的比例，也可以改变主蚀刻气体，比 用不同Ｆ／Ｃ比值的蚀刻剂。可以添加辅助气体如 如Ｃ／Ｆ比。 表４蚀刻剂用含氟电子气体 Ｔａｂｌｅ ４ Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇａｓｅｓ ｆｏｒ ｅｔｃｈｉｎｇ 通过提高等离子体中的氟／碳比，比如加入氧 乙烷作为干法蚀刻剂，可用于集成电路中的等离子 气，二氧化硅的蚀刻速率就会增加。相反的，如果 蚀刻，在ＲＦ（射频）下能解离出高活性的氟离 等离子体中的氟／碳比降低，比如加入氢气或者 子，主要用于反应器内表面硅、硅化合物的蚀刻。 ＣＨＦ３、ＣＨ：Ｆ ，就可以降低二氧化硅的蚀刻速率。 特别是随着半导体器件的发展，集成电路精度要求 此外，当氟／碳比低于一个临界值时，等离子体蚀 越来越高，常规的湿法腐蚀不能满足０．１８～０．２５ 刻可能会停止，并转变为聚合物的沉积模式。 的深亚微米集成电路高精度细线蚀刻的要求。 二氧化硅等离子体干法蚀刻工艺中最常用的蚀 而六氟乙烷作为干蚀刻剂具有边缘侧向侵蚀现象极 刻气体为氟碳化合物、氟化的碳氢化合物（在碳氢 微、高蚀刻率及高精确性的优点，可以极好地满足 化合物中有一个或几个氢原子被氟原子替代），如 此类线宽较小的制程的要求。特别是当接触到孔径 ＣＦ 、ＣＨＦ。、ＣＨ Ｆ２等。其中所含的碳可以帮助去 为１４０ ｎｍ或更小的元件时，原先的八氟环丁烷无 除氧化层中的氧（产生副产物ＣＯ及ＣＯ ）。ｃＦ４ 法起到蚀刻作用，而六氟乙烷却可以在小到ｌ１Ｏ 是微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，可以 ｈｉｌｌ的元件上产生一条深凹槽。六氟乙烷也可作为 提供很高的蚀刻速率，但对多晶硅的选择比很低。 清洗剂，主要用于半导体化学气相沉积ＣＶＤ腔体 而且大气寿命长，ＧＷＰ高，逐渐被其它气体替代。 的清洗。在以传统硅甲烷（Ｓｉｌ ）为基础的各种 ｓＦ６、ＮＦ，也由于大气寿命和ＧＷＰ高，难逃被替代 ＣＶＤ制程中，六氟乙烷作为清洗气体与硅烷相比 的命运。 更具优越性，主要表现在排放低、气体利用率高、 ＣＨＦ，、ＣＨ：Ｆ２除了作为主蚀刻剂外，还可用 清洗效率高和设备产出率高。 作其它主蚀刻剂的辅助气，调节氟／碳比。 一氟甲烷作为干法蚀刻剂，主要用于集成电路 全氟化物的电子气体中，六氟乙烷使用量占 中的等离子蚀刻，尤其是ＨＤＰ（高密度等离子） ５０％左右。六氟乙烷（ＦＣ．１１６）因其无毒无臭、 蚀刻。 高稳定性而被广泛应用在半导体制造过程中，例如 六氟丁二烯（ｃ Ｆ ）和八氟环戊烯（Ｃ Ｆ。） 作为干蚀刻剂（Ｄｒｙ Ｅｔｃｈ）、化学气相沉积（ＣＶＤ， 作为下一代蚀刻气体，被认为具有竞争优势，尤其 Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）后腔体的清洗剂。六氟 是Ｃ４Ｆ６。 第１期 李盛姬，等：含氟电子气体研究进展 ５ Ｃ Ｆ 用作半导体级氟气体的市场需求在全面 增长。它可取代ｃＦ４用于ＫｒＦ激光锐利蚀刻半导体 电容器图形（Ｐａｔｔｅｒｎｓ）的干工艺。Ｃ Ｆ６在０．１３ ［４］叶志镇，姜小波．超净硅片表达化学清洗工艺的优化 研究［Ｊ］．半导体学报，１９９６，１７（５）：３８０．３８５． ［５］Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｐｅｒｌｆｕｏｒｃｏｏｍｐｏｕｎｄ（ＰＦＣ）ｅｍｉｓｓｉｏｎｓ：２００５ Ｓｔａｔｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｒｅｐｏｒｔ［Ｊ］．Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＳＥＭＴＥＣＨ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅ，２００５． ｍ技术层面有诸多蚀刻上的优点 Ｊ。Ｃ Ｆ６有比 Ｃ Ｆ。更高的对光阻和氮化硅选择比，这是很重要 ［６］ＵＥＤＡ Ｓ，ＴＡＫＡＨＡＳＨＩ Ｋ，ＭＡＴＳＵＢＡＲＡ Ｔ，ＮＩＫＯＵ Ｈ． Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ ａｌｌ ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅ ｇａｓ ＣＯＦ２印ｐｌｉｅａｔｉｏｎ ｆｏｒ 的两个优点，因为随着器件尺寸推进到０．１３１￣ｍ， 孔的ＣＤ（关键尺寸）要比０．１８ ｍ时小３０％左右， ＣＶＤ ｃｈａｍｂｅｒ ｅ￣ａｎｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ［Ｃ］／／Ｐｒｃｅｅｏｄｉｇｓｎ ｏｆ １２ ＩＳＥＳＨ ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，２００５． 同时一些膜层厚度也相应减少，这就要求对那些关 键膜层的选择比要高，这样才能扩大蚀刻的窗口， 提高蚀刻的稳定性。蚀刻速率的提高可以减少蚀刻 所用的时间，从而提高生产效率。蚀刻均匀度和 ＣＤｂｉａｓ（关键尺寸偏置）的提高会提高ＣＤ和器件 稳定可靠性，从而提高产品优良率。 另外，环境方面也是一个非常重要的因素。使 用温室效应系数低、极有利于环保的气体的蚀刻设 备及工艺技术估计将会迅速地相继开发出来。Ｃ Ｆ６ 的ＧＷＰ值几乎为０。比如，Ｃ Ｆ 取代在氧化膜蚀 刻工艺中使用的Ｃ Ｆ８和Ｃ Ｆｓ，从而降低温室气体 的排放。而且，半导体蚀刻专家提供蚀刻时ＰＦＣ （Ｐｅｒｌｆｕｏｒｏｃｏｍｐｏｕｎｄ）使用的数据指出，用ｃ Ｆ６来 取代Ｃ Ｆ８在氧化物之蚀刻上有相当的性能且可减 少６５％～８２％ＰＦＣ的排放，有关专家指出，到目 前为止，Ｃ 可能是唯一能提供所需蚀刻条件及减 少排放的替代物。 ３ 结论 传统含氟清洗气体大气寿命周期长，ＧＷＰ值 高；新兴清洗气体ＣＦ２Ｏ大气寿命与ＧＷＰ几乎为 零，清洗利用率大于９９％，无论是清洗性能还是 环境保护，ＣＦ２Ｏ都具有极大优势。六氟丁二烯 （Ｃ Ｆ６）和八氟环戊烯（Ｃ Ｆ。）作为下一代蚀刻气 体，由于优良的刻蚀性能及绿色环保特性，被认为 具有竞争优势，尤其是Ｃ Ｆ６。 参考文献： ［１］李仁．半导体Ｉｃ清洗技术［Ｊ］．半导体技术，２００３，２８ （９）：４４—４７． ［２］曹宝成，于新好．新型半导体清洗剂的清洗工艺［Ｊ］． 半导体学报，２００２，２３（７）：７７７－７８１． ［３］闫志瑞．半导体硅片清洗工艺发展方向［Ｊ］．电子工 业专用设备，２００４，３３（９）：２３－２６． 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ｏｆ ＡｒＦ ａｎｄ ＥＵＶ Ｒｅｓｉｓｔｓ ｉｎ Ｃ４Ｆ６一ａｎｄ Ｃ４Ｆｓ－ｂａｓｅｄ Ｄｕａｌ－ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｓｕｐｅｒｉｍｐｏｓｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ—ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａｓ ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｋｏｒｅａｎ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１１，５８ （６）：１６２２．１６２７． 作者简介： 李盛姬（１９８１），女，浙江温州人，高级工程师，工学 博士，主要研究领域为氟化工分离纯化、含氟电子气体、 膜分离技术及其应用、高纯氟烃制备、化工过程模拟等。