一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法[发明专利]

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专利名称：一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法专利类型：发明专利

发明人：陈钢进,许海东,王振岳申请号：CN201610121876.0申请日：20160229公开号：CN105788863A公开日：20160720

摘要：本发明涉及一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法，制备方式包括：(1)将纳米模板清洗烘干后放置到玻璃片上，纳米模板表面设有很多纳米级的凹孔，放置时模板表面朝上；(2)将聚偏氟乙烯溶解形成溶液；(3)将聚偏氟乙烯溶液涂于纳米模板上，放入烤箱烘烤后自然风干，形成聚偏氟乙烯薄膜；(4)将聚偏氟乙烯薄膜与纳米模板分离；(5)在高温下对聚偏氟乙烯薄膜进行电晕极化，极化温度为70℃～200℃,极化时间5?10分钟。本发明制备的薄膜驻极体表面具有独特的微纳米结构，与模板容易脱离，且该驻极体同时具有静电效应和压电效应。

申请人：杭州电子科技大学

地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

国籍：CN

代理机构：杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：王桂名

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