专利名称：一种制备聚偏氟乙烯薄膜的方法专利类型：发明专利发明人：杨华军,程丛,汤诚申请号：CN201410453660.5申请日：20140905公开号：CN104231496A公开日：20141224
摘要：本发明涉及一种制备聚偏氟乙烯薄膜的方法。按重量份计，将100份聚偏氟乙烯、5～40份的聚甲基丙烯酸甲酯、5～30份的改性二氧化钛、0.1～1份的紫外吸收剂加入高速混合机后，高速混合搅拌均匀；将混匀后的混合料加入到双螺杆挤出机中在180～230℃下熔融后挤出造粒，得到母粒；将母粒加入到单螺杆挤出机中在200～230℃下熔融后，经由薄膜口模，通过流延拉伸装置成型，并将薄膜经过150℃的热处理定型后经过切边和电晕处理后冷却收卷，即得聚偏氟乙烯基薄膜。根据本发明的制备方法制备的聚偏氟乙烯薄膜具有缺陷少、透光率低、易于实现工业化等特点。
申请人：东莞市长安东阳光铝业研发有限公司
地址：523871 广东省东莞市长安镇上沙振安路368号东阳光科技园
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容