（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210465601.0 （22）申请日 2012.11.16
（71）申请人 有研半导体材料股份有限公司
地址 100088 北京市西城区新街口外大街2号
（10）申请公布号 CN103820862A
（43）申请公布日 2014.05.28
（72）发明人 李宗峰;冯泉林;赵而敬;盛方毓;闫志瑞;李青保;王磊 （74）专利代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 郭佩兰
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种高温退火硅片的制备方法
（57）摘要
本发明提供一种高温退火硅片的制备方
法，包括以下步骤：(1)将硅片装载好后，以150mm/min的速度升入温度为650℃，保护气氛为纯Ar的石英炉管内，保温30min；(2)向石英炉管内通入H
法律状态
法律状态公告日
2014-05-28
公开
法律状态信息
公开
法律状态
法律状态公告日
2014-05-28 2014-06-25 2014-06-25 2014-06-25 2014-06-25 2015-07-01 2015-07-01 2017-10-10
法律状态信息
公开
实质审查的生效 著录事项变更 实质审查的生效 著录事项变更
专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的驳回
法律状态
公开
实质审查的生效 著录事项变更 实质审查的生效 著录事项变更
专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
一种高温退火硅片的制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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