专利名称：SiC单晶的制造方法专利类型：发明专利
发明人：新谷尚史,滨口优,山形则男,山田修,美浓轮武久申请号：CN201680042716.5申请日：20160725公开号：CN107849734A公开日：20180327
摘要：在本发明中，通过溶液法制造SiC单晶时，作为用作Si‑C溶液的收容部的坩埚，使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外，在其他方式中，在作为Si‑C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源，通过加热使Si和C溶出到Si‑C溶液中，但由于氧含量为100ppm以下，因此，Si‑C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是，能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。
申请人：信越化学工业株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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