第２７卷第４期 半导体学报 Ｖｏ１．２７ Ｎｏ．４ ２００６年４月 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ Ａｐｒ．，２００６ Ｐｈ０ｔ０ｌｉｔｈ０ｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ ，Ｈｕａｎｇ Ｑｉｎｇ’ａｎ，ａｎｄ Ｌｉ Ｗｅｉｈｕａ （Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆＭＥＭＳ ｏｆｔｈｅＭｉｎｉｓｔｒｙ ｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｉｆｎｇ ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ，ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ，ｅｘｐｏｓｕｒｅ，ａｎｄ ｐｏｓｔ・ｂａｋｅ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ａｒｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｔｏ ｏｂ。 ｔａｉｎ ａ ｐｈｏｔｏＩｊｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ（ＭＥＭＳ）ａｎｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ（ＩＣ） ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｒｅｅ．ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ（３Ｄ）ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ（ＣＡ）．Ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｇｒｅｅ ｗｅｌｌ ｗｉｔｈ ａｖａｉｌａ－ ｂｌｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ．Ｔｈｉｓ ｉｎｄｉｃａｔｅｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅ ３Ｄ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｐｏｓｔ．ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｕｓｅｆｕｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｖａｒｉｏｕｓ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ．Ｔｈｉｓ ｉｓ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ ｔｏ ｂｅ ｕｓｅｆｕｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅ－ｓｉｚｅｄ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ＩＣ ａｎｄ ＭＥＭＳ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ；ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ；ｐｈｏｔｏＩｊｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ；ｍｏｄｅｌ；ＴＣＡＤ ＥＥＡＣＣ：２５７０；２５６０；２５５０Ｅ ＣＬＣ ｎｕｍｂｅｒ：ＴＮ４ Ｄｏｃｕｍｅｎｔ ｃｏｄｅ；Ａ Ａｒｔｉｃｌｅ ＩＤ：０２５３・４１７７（２００６）０４－０７０５・０７ ｔｈｅ ｓｉｍｐｌｅｓｔ ｍｏｄｅｌｓ ｆｏｒ ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ ｉｎ ＭＥＭＳ １ ＩｎｔｒＯｄｕｃｔｉＯｎ ａｎｄ ＩＣ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ ｍｏｄｅｌ，ｗｈｉｃｈ ｗａｓ ｆｉｒｓｔ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ ｂｙ ｖｏｎ Ａｓ ｔｈｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ ｏｆ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ（ＩＣ） Ｎｅｕｍａｎｎ ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ Ｕｌａｍ’ｓ ｓｕｇｇｅｓｔｉｏｎｓＬ ．ｈａｓ ａｒｅ ｓｃａｌｉｎｇ ｄｏｗｎ ｔｏ ｔｈｅ ｎａｎｏｍｅｔｅｒ ｒｅｇｉｍｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｂｅｅｎ ｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙ ａｐｐｌｉｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｖａｒｉ－ ｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙ ｏｆ ｍｉｃｒｏ．．ｅｌｅｃｔｒｏ－－ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ ＯＵＳ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ｓｕｃｈ ａｓ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈ－ （ＭＥＭＳ）ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｉｓ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ， ｉｎｇＥｓ～７ｌ，ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎＥ８，９］，ａｎｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｔｈｒｅｅ．ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ（３Ｄ）ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａ－ ｅｔｃｈｉｎｇＥ１０］．Ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃａｌ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｈｏ． ｔｉｏｎ ｈａｓ ｂｅｃｏｍｅ ｎｅｃｅｓｓａｒｙ ｆｏｒ ａｃｃｕｒａｔｅ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ［１１ Ｊ．ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｅｘｔｅｎｄｅｄ ｃｏｍｐｌｅｘ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｓｕｃｈ ａｓ ｃｏｎｔａｃｔｓ，ｃｏｒｎｅｒｓ， ｆｒｏｍ ｔｈｅ ２Ｄ ｄｙｎａｍｉｃａｌ ＣＡ ｍｏｄｅｌＬ５Ｊ．ｈａｓ ｂｅｅｎ ｉｓｌａｎｄｓ，ａｎｄ ３Ｄ ｄｅｆｅｃｔｓＥ ］ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｉｄｓ ｉｎ ｕｎ— ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ ａｎｄ ｔｅｓｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ｗｅｌ１．ｋｎｏｗｎ ｅｔｃｈｉｎｇ ｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｄｕｒｉｎｇ ｐｈｏ— ｒａｔｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎｓ ａｎｄ ｉｓ ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｄ ｔｏ ｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｏ ｔｈａｔ ｍａｓｋｓ ｃａｎ ｂｅ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ａｎｄ ｂｅ ａｃｃｕｒａｔｅ，ｆａｓｔ ａｎｄ ｓｔａｂｌｅ． ｔｈｅ ａｃｃｕｒａｃｙ ｏｆ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｌｉａｂｉｌ－ Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｉｔｖ ｏｆ ｄｅｖｉｃｅｓ ｃａｎ ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ ｂｅ ｉｍｐｒｏｖｅｄＬ ．Ｔｈｅ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｉｓ ａ ｃｏｍｐｌｅｘ ｔａｓｋ ａｎｄ ｔｈｅ ｐｏｓｔ．ｂａｋｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ３Ｄ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｔｈａｔ ｕｓｕａｌｌｙ ｉｎｃｌｕｄｅｓ ｐｒｅｃｉｓｅ ｍｏｄｅｌｉｎｇ ｉｎ ａｅｒｉａｌ ｉｍ－ ａｒｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｔｏｇｅｔｈｅｒ ｆｏｒ ｔｈｅ ｆｉｒｓｔ ｔｉｍｅ ｗｉｔｈ ａｎ ａｇｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｐｏｓｔ－ｂａｋｅ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ａｎ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ａｎｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｏ ａｃｃｕｒａｔｅｌｙ ｄｅｓｃｒｉｂｅ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｐａ－ （ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ）Ｅ３］．Ｔｈｅ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａ－ ｒａｍｅｔｅｒｓ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｐｈＯｔＯｌｉｔｈＯｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｔｈｅ ｔｉｏｎ ｉｓ ｕｓｕａｌｌｙ ｔｈｅ ｍｏｓｔ ｔｉｍｅ，ｃｏｎｓｕｍｉｎｇ ｓｔｅｐ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｇｒｅｅ ｗｅｌｌ ｗｉｔｈ ａｖａｉｌａｂｌｅ ｅｘｐｅｒ－ ｇｒｅａｔｌｙ ａｆｆｅｃｔｓ ｔｈｅ ａｃｃｕｒａｃｙ ｏｆ ｔｈｅ ｗｈｏｌｅ ｐｈｏｔｏｌｉ— ｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ．Ｔｈｉｓ ｉｎｄｉｃａｔｅｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ｔｈ０ｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｓｏ ａ ｆａｓｔ ａｎｄ ａｃｃｕｒａｔｅ ３Ｄ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｉｓ ｇｒｅａｔｌｙ ｄｅｓｉｒｅｄ ３Ｄ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｏｓｔ．ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｒｅ ａｃｃｕ－ ｆｏｒ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ． ｒａｔｅ，ｆａｓｔ，ａｎｄ ｃａｎ ｂｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｏｔｈｅｒ ｐｈｏｔｏ－ Ｄｕｅ ｔｏ ｉｔｓ ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ｓｕｃｈ ａｓ ｅａｓｅ ｉｎ ｈａｎｄｌｉｎｇ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｔｅｐｓ．Ｔｈｉｓ ｗｉｌｌ ｂｅ ｕｓｅｆｕｌ ｔｏｐｏｌｏｇｉｃａｌ ｃｈａｎｇｅｓ，ａｄａｐｔｉｖｅ ｍｅｓｈ ｍｅｔｈｏｄｓ，ａｎｄ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅ．ｓｉｚｅｄ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ＊Ｐｒｏｊｅｃｔ ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｕｔｓｔａｎｄｉｎｇ Ｙｏｕｎｇ Ｓｃｉｅｎｔｉｓｔｓ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈｉｎａ（Ｎｏ ５０３２５５１９） 十Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ａｕｔｈｏｒ．Ｅｍａｉｌ：ｚｈｏｕｚａｉｆａ＠ｙａｈｏｏ．ｃｏｍ．ｃｎ Ｒｅｃｅｉｖｅｄ １７ Ｊａｎｕａｒｙ ２００６，ｒｅｖｉｓｅｄ ｍａｎｕｓｃｒｉｐｔ ｒｅｃｅｉｖｅｄ １５ Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２００６ ＠２００６ Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ 维普资讯 http://www.cqvip.com
７Ｏ６ 半导体学报 第２７卷 ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ＩＣ，ａｎｄ ＭＥＭＳ ２ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃａｌ ＣＡ ｍｏｄｅｌ Ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｉｓ ｄｉｖｉｄｅｄ ｉｎｔｏ ｆ×ｍ×凡ｉｄｅｎｔｉ— ｃａｌ ｃｕｂｉｃ ｃｅｌｌｓ ｗｉｔｈ ｓｉｄｅ ｌｅｎｇｔｈ ａ，ａｎｄ ｔｈｅ ３Ｄ Ｍｏｏｒｅ ｎｅｉｇｈｂｏｒｈｏｏｄ ｉｓ ａｄｏｐｔｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ，ａｓ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．１．Ｔｈｅｒｅ ａｒｅ ６ ａｄｊａｃｅｎｔ ｃａ— ｂｉｃ ｃｅｌｌｓ，１２ ｄｉａｇｏｎａｌ ｃｕｂｉｃ ｃｅｌｌｓ，ａｎｄ ８ ｐｏｉｎｔ ｃｕｂｉｃ ｃｅｌｌｓ ｉｎ ｔｈｅ ｎｅｉｇｈｂｏｒｈｏｏｄ ｏｆ ｃｅｌｌ（ｉ，ｆ，ｋ）．Ａ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ａｎｄ ｅｔｃｈａｎｔ ｗｉｌｌ ｂｅ ｅｔｃｈｅｄ ｂｙ ｅｔｃｈａｎｔ ｆｌｏｗｉｎｇ Ｆｉｇ．１ Ｍｏｏｒｅ ｎｅｉｇｈｂｏｒｈｏｏｄ ｏｆ ｔｈｅ ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ ｆｒｏｍ ｉｔｓ ｎｅｉｇｈｂｏｒｓ．Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｌｙ，ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｅｔｃｈａｎｔ ｆｒｏｍ ａｌｌ ｎｅｉｇｈｂｏｒｓ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｔａｋｅｎ ｉｎｔｏ ａｃｃｏｕｎｔ ｗｈｅｎ ｔｈｅ ｓｔａｔｅ ｏｆ ｃｅｌｌ（ｉ， ，ｋ）ｉｓ ｕｐｄａ— ｔｅｄ．Ｂｕｔ ｔｈｅ ８ ｐｏｉｎｔ ｄｉａｇｏｎａＩ ｃｅｌｌｓ ｄｏ ｎｏｔ ｓｉｇｎｉｆｉ． ｃａｎｔｌｙ ａｆｆｅｃｔ ｔｈｅ ｃｈａｎｇｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｔａｔｅ ｏｆ ｃｅｌｌ （ｉ，Ｊ，ｋ）．ｓｏ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｔｈｅ ｐｏｉｎｔ ｄｉａｇｏｎａｌ ｃｅｌｌｓ ｉｓ ｎｅｇｌｅｃｔｅｄ ｉｎ ｔｈｉｓ ｍｏｄｅ１．Ｔｈｅ Ｉｏｃａｌ ｓｔａｔｅ Ｃｆ．ｉ，ｋ （ｔ）ｏｆ ｅａｃｈ ｃｅｌｌ ａｔ ｔｉｍｅ ｔ ｉｓ ｄｅｆｉｎｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｒａｔｉｏ ｏｆ ｔｈｅ ｅｔｃｈｅｄ ｖｏｌｕｍｅ Ｖ。（ｔ）ｔｏ ｔｈｅ ｔｏｔａｌ ｖｏｌｕｍｅ Ｖ ： ＣｉＪ． （ｔ）＝ Ｖ。（ｔ） ．（１） Ｔｈｅ ｕｐｄａｔｅ ｒｕｌｅ ｉｓ ｔｈｅｎ ｇｉｖｅｎ ｂｙ Ｒｅｆ．［１１］： Ｃｌ，』． （ｔｌ＋丁）＝Ｃｆ，Ｊ．ｋ（ ｔ１）＋ Ｖ （ｔｌ＋丁） ｄＩａｃ ｔ＋Ｖ。（ｔｌ＋丁） 口３ Ｖ （ｔｌ＋丁） ｄｊ 。。 ＝（ａ—ｄｆ＾一ｄｉｆ）× （ｄｊ，ｄ七ｆ＋ｄｉｌｄ ｋｈ＋ｄｊｈｄ ｋｌ＋ｄｊｈｄ ）＋ （ａ—ｄ ｙｈ—ｄ ｙ１）（ｄｌｆｄ七ｆ＋ｄｌｆｄ ＋ｄｉ＾ｄ ＋ｄｆ＾ｄ ）＋ （ａ—ｄ —ｄ七ｆ）（ｄｌｆｄｊｆ＋ｄｌｆｄｉｈ＋ｄｉ＾ｄｆｆ＋ｄｉ＾ｄｉｈ）＋ （口一ｄｉ＾一ｄ ｆ）（ａ—ｄ ｆ—ｄ ）（ｄ，ｆ＋ｄｊｈ）＋ （盘一ｄｉｈ—ｄｆｆ）（ａ—ｄ“一ｄ蛐）（ｄｊｆ＋ｄｆ＾）＋ （盘一ｄ蛐～ｄ ｆ）（ａ—ｄｆｆ—ｄｊｈ）（ｄ｛ｆ＋ｄｆ＾）＋ ｄｉｔｄｊｔｄ＾ｆ＋ｄｆｔｄ ｉｄ舳＋ｄｉｔｄｊ＾ｄ ＋ｄ．ｄｊ＾ｄ ＋ ｄｆ＾ｄｊｉｄ七ｉ＋ｄｉ＾ｄｆｆｄ舳＋ｄｉ＾ｄ『＾ｄ ＋ｄｆ＾ｄ『＾ｄ （３） ｎ Ｖ （ｔｌ＋Ｔ）ｄｉ４ｇｏ ｌ 百／．／Ｒ；，，， （Ｔ＋Ｔｃｆ＋１，，， ＋ｌ（ｔ１）） ＋ Ｄ ２ 百Ｊ、． ， （丁＋Ｔｃｉ￣ｉ，ｊ，ｋ－ｉ（ｆ１））。＋ Ｄ＾２ｉ．ｊ ｋ（丁＋ＴｃＨ．，． ＋ｌ（ｆ１）） ＋ Ｄ＾２ｆ，，． （丁＋Ｔｃｉ－１，ｊ，ｋ－１（ｆ１））。＋ Ｄ＾２ｆ．，，＾（丁＋Ｔｃｉ．ｊ十１， ＋１（ｆ１））。＋ Ｄ 百ｎ ２ （丁＋Ｔｃ ｌ， １（ｆ１）） ＋ Ｄ２百』、ｆｌＪ’ （丁＋Ｔｃｉ，ｔ－ｉ，ｋ＋ｉ（ｆ１）） ＋ Ｄ 百ｎ ２ （丁＋Ｔｃｆ，卜ｌ 七１（ｆ１）） ＋ Ｄ２百ｎ ｆ，，， （７１＋Ｔｃｉ￣ｌ，ｉ￣ｌ，ｋ（ｆ１））。＋ Ｄ ２百Ｊ、ｌ小 （７］＋Ｔｃｉ￣ｌ，ｊ－ｌ，ｋ（ｆ１）） ＋ Ｄ＾２百ｊ，Ｊ． （丁＋Ｔｃｌ－ｉ４￣ｌ，ｋ（ｆ１））。＋ Ｄ＾２百ｆ，，，ｋ（丁＋Ｔｃｉ－ｌ，ｉ－ｌ，ｋ（ｆ１）） （４） ｗｈｅｒｅ Ｖ （ｔｌ＋丁） ｄｊ 。 ｔ ａｎｄ Ｖ （ｔｌ＋丁）ｄ。 ｇｏ ｌ ｄｅ・ ｓｃｒｉｂｅ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ａｄｊａｃｅｎｔ ａｎｄ ｔｈｅ ｄｉａｇｏ— ｎａｌ ｃｅｌｌｓ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｃ（ｔ１）ｉｓ ｔｈｅ ｔｉｍｅ ｃｏｍｐｅｎ— ｓａｔｉｏｎ ｖａｌｕｅ．Ｔｈｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ Ｄ ｉｓ ａｄｏｐｔｅｄ ｔｏ ｄｅ— ｓｃｒｉｂｅ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｔｈｅ ｄｉａｇｏｎａｌ ｃｅｌｌｓ，ａｎｄ ｄｉｆｆｅｒ— ｅｎｔ ｖａｌｕｅｓ ｗｉｌｌ ｂｅ ｕｓｅｄ ａｃｃｏｒｄｉ ｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｓｔａｔｅ ｏｆ ｔｈｅ ｄｉａｇｏｎａｌ ｃｅｌｌｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｓｔａｔｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｈａｒｅｄ ａｄｊａ— ｃｅｎｔ ｃｅｌｌｓ ｏｆ ｔｈｅｓｅ ｄｉａｇｏｎａｌ ｃｅｌｌｓ ａｎｄ ｃｅｌｌ（ｉ， ，足）． Ｔｈｅ ｖａｒｉａｂｌｅｓ ｉｎ Ｅｑ．（３）ａｒｅ ｄｅｆｉｎｅｄ ａｓ ｆｄ“＝Ｒ （Ｔ＋Ｔｃｉ ｌ．』， （ｔ１）） ｌ ｄｆ＾＝Ｒ¨， （Ｔ＋Ｔｃ『＋１．Ｊ． （ｔ１）） ｛］ ＝ｄ Ｒｊｌ （Ｒ ｉ，Ⅲｊ，ｋ （ ＋丁Ｔ 小 Ｔ ｆｃ ’ｔ．／ｊ－＋１，． （ｔ）１）） … ㈣ ｌ ｄ ｋＪ＝Ｒ Ｊ ｋ（Ｔ＋Ｔｃ１．ｊ１ （ｔｉ）） 【ｄ ＝Ｒ ， （Ｔ＋Ｔｃｆ｝Ｊ ｌ（ｔ１）） Ｉｎ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ，ｏｎｌｙ ｔｈｅ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌｓ ａｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ，ａｎｄ ａｎ ｉｎｔｅｒｉｏｒ ｃｅｌｌ ｔｈａｔ ｈａｓ ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ ｆｕｌｌｙ ｅｔｃｈｅｄ ａｄｊａｃｅｎｔ ｏｒ ｄｉａｇ－ ｏｎａｌ ｎｅｉｇｈｂｏｒ ｂｅｃｏｍｅｓ ａ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌ１．Ａｔ ｔｈｅ ｂｅ－ ｇｉｎｎｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｉｓ ｄｉｖｉｄ－ 维普资讯 http://www.cqvip.com
第４期 Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ ｅｔ ａ１．： Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ… ７０７ ｅｄ ｉｎｔｏ ｆ×ｍ×凡ｃｕｂｉｃ ｃｅｌｌｓ，ａｎｄ ａｌｌ ｔｈｅ ｃｅｌｌｓ ａｒｅ ｄｕｃｅ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓＤｅｅｄ——ｔｈｅ ｔｉｍｅ ｓｔｅｐ ｖａｌｕｅ ｉｎ ｔｈｅ“０”ｓｔａｔｅ（ｕｎｅｔｃｈｅｄ），ａｎｄ ｔｈｅ ｔｉｍｅ ｃｏｍｐｅｎ． ｉｎ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅＩ ｏｆ Ｔ＝ａ／ＩＯＲ…ｉｓ ｓａｔｉｏｎ ｖａｌｕｅ ｆｏｒ ａｌｌ ｃｅｌｌｓ ｉｓ“０”．Ｉｎｉｔｉａｌ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ａｄｏｐｔｅｄ，ｗｈｅｒｅ Ｒ ｉｓ ｔｈｅ ｍａｘｉｍｕｍ ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｏｆ ａｒｅ ｉｍｐｏｓｅｄ ｂｙ ｃｈａｎｇｉｎｇ ｔｈｅ ｓｔａｔｅｓ ｏｆ ｓｏｍｅ ｃｅｌｌｓ， ｔｈｅ ｃｅｌｌｓ． ａｎｄ ｔｈｅ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｔａｒｔｓ ａｌｏｎｇ ｔｈｅ ｅｔｃｈ Ｔｈｅ ｍｏｄｅｌ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｔｅｓｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｗｅｌｌ— ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌｓ．Ｓｏｍｅ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌｓ ｗｉｌｌ ｇｒａｄｕａｌｌｙ ｋｎｏｗｎ ｅｔｃｈｉｎｇ ｒａｔｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎｓ ａｎｄ ｈａｓ ｂｅｃｏｍｅ ｆｕｌｌｙ ｅｔｃｈｅｄ，ａｎｄ ｔｈｏｓｅ ｆｕｌｌｙ ｅｔｃｈｅｄ ｃｅｌｌｓ ｂｅｅｎ ｆｏｕｎｄ ｔｏ ｂｅ ｓｔａｂｌｅ，ｆａｓｔ，ａｎｄ ａｃｃｕｒａｔｅＬ ．Ｔｈｅ ｗｉｌｌ ｂｅ ｅｘｃｌｕｄｅｄ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌ ａｒｒａｙ ｄｕｒ． １．０ ｍ×１．０ ｍ ｘ １．０ ｍ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｗａｓ ｄｉｖｉｄｅｄ ｉｎｇ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ａｔ ｔｈｅ ｓａｍｅ ｔｉｍｅ，ｓｏｍｅ ｉｎｔｅｒｉｏｒ ｉｎｔｏ １００×１００×１００ ｉｄｅｎｔｉｃａｌ ｃｕｂｉｃ ｃｅｌｌｓ．ａｎｄ ｔｈｅ ｃｅｌｌｓ ｗｉｌｌ ｂｅｃｏｍｅ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌｓ ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｔｅｓｔ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｉｓ ｇｉｖｅｎ ｂｖ［１２］ ＣＡ ｒｕｌｅｓ．Ｔｈｅｓｅ ｎｅｗ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌｓ ｗｉｌｌ ｂｅ ｉｎｓｅｒｔ— Ｒ（ ）＝４ｘ ｍ／ｓ （６） ｅｄ ｉｎｔｏ ｔｈｅ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｅｅｌｌ ａｒｒａｙ。ａｎｄ ｐｏｉｎｔｅｒｓ ｃｏｒ— ｗｈｅｒｅ ｘ ａｎｄ Ｙ ａｒｅ ｔｈｅ ｄｉｓｔａｎｃｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｗａｆｅｒ，ａｎｄ ｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅｓｅ ｎｅｗ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｃｅｌｌｓ ａｒｅ ａｌｓｏ ｚ ｉｓ ｔｈｅ ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ．Ｔｈｅ ３Ｄ ｓｉｍｕｌａ． ｃｒｅａｔｅｄ．Ｃｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇ ｔｈａｔ ｔｈｅｒｅ ｉｓ ａｌｗａｙｓ ａ ｔｒａｄｅ． ｔｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅｓ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｔｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆｆ ｂｅｔｗｅｅｎ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｃｃｕｒａｃｙ ａｎｄ ｓｐｅｅｄ—— ｔｉｍｅ ｓｔｅｐｓ ａｒｅ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇｓ．２（ａ）ａｎｄ（ｂ）．Ｔｈｅ ｎａｍｅｌｙ．ａ ｌａｒｇｅ ｔｉｍｅ ｓｔｅｐ ｗｉｌｌ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａ— ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｗａｓ ｆｏｕｎｄ ｔｏ ｂｅ ３５．９ｓ ｏｎ ａ Ｓｕｎ ｔｉｏｎ ａｃｃｕｒａｃｙ．ｗｈｅｒｅａｓ ａ ｓｍａｌｌ ｔｉｍｅ ｓｔｅｐ ｗｉｌｌ ｒｅ一 Ｕｌｔｒａ ｗｏｒｋ ｓｔａｔｉｏｎ． 暑０ ｉ 毫０ ｓ 占 。Ｏ Ｏ ７ １ Ｆｉｇ．２ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅｓ ｗｉｔｈ Ｅｑｕａｔｉｏｎ（６） （ａ）ａｎｄ（ｂ）ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄ ｔｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅｓ Ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔ—ｃｏａｔｅｄ ｗａｆｅｒ．Ｔｈｅ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｇｅｎｅｒ— ｏｆ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｆｏｕｎｄ ｔｏ ｂｅ ａｃｃｕ— ａｔｅｓ ａｃｉｄ ｉｎ ｔｈｅ ｒｅｓｉｓｔ．Ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｓｕｂｓｅｑｕｅｎｔ ｐｏｓｔ— ｒａｔｅ，ｆａｓｔ，ａｎｄ ｓｔａｂｌｅ，ｂｕｔ ｉｔ ｉｓ ｎｅｃｅｓｓａｒｙ ｔｏ ｉｎ． ｂａｋｅ ｐｒｏｃｅｓｓ．ｔｈｅ ｒｅｓｉｓｔ ｕｎｄｅｒｇｏｅｓ ａｎ ａｃｉｄ．ｃａｔａ． ｔｅｇｒａｔｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ ｏｆ ａｅｒｉａｌ ｘｍａｇｅ＇ｅｘｐｏｓｕｒｅ，ｐｏｓｔ— １ｙｚｅｄ ｃｒｏｓｓ—ｌｉｎｋｉｎｇ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｗｈｉｃｈ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｓ ｔｈｅ ｂａｋｅ，ａｎｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ａｃｃｕｒａｔｅ— ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｉｎ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ．Ｉｎ ｔｈｅ ｌａｓｔ ｌｙ ｄｅｓｃｒｉｂｅ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｓｔｅｐ，ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｉｓ ｅｔｃｈｅｄ ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｉｎ ｔｈｅ ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ ｓｅｃ— ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｔｗｏ ｆｏｒ． ｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｍｅｔ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｔｅｐｓ．Ｔｈｅ ｔｙｐｉｃａｌ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｔｅｐｓ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｗｉｌｌ ｂｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｆｏｒ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍ－ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ，ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ， ｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ ａｒｅ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．３． ａｎｄ ｐｏｓｔ—ｂａｋｅ ｐｒｏｃｅｓｓ． ： ３ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ Ｆｉｇ．３ Ｔｙｐｉｃａｌ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｔｅｐｓ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ Ｔｈｅ ｇｅｎｅｒａｌ ｓｔｅｐｓ ｆｏｒ ｐｈＯｔＯｌｉｔｈＯｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕ－ ｌａｔｉｏｎ ａｒｅ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｓｉｍｕ－ Ｔｈｅ ｎｅｗ ＳＰＬＡＴ［ 。］ｃａｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙ ｅｘｐｒｅｓｓ ｌａｔｉｏｎ，ｐｏｓｔ—ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ａｎｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈ— ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｖａｒｉｏｕｓ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｔｈｅ ｉｍａｇｅ ｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｔｈｅ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｏｏｌ ｆｏｒ ｈｉｇｈ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ａｐｅｒｔｕｒｅ（ＮＡ）ｌｉｔｈｏｇｒａ— ｉｎｖｏｌｖｅｓ ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ ｔｈｅ ｉｍａｇｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｎ ｔｈｅ ｐｈｙ ｒｅｓｉｓｔｓ（ＮＡ￣０．６）．Ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｌｉｓｔｅｄ 维普资讯 http://www.cqvip.com
７０８ 半导体学报 第２７卷 ｉｎ Ｔａｂｌｅ １，ｓｕｃｈ ａｓ ｐａｒｔｉａｌ ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ ，ｆｏｃｕｓ，ａｎｄ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｄｏｓｅ Ｉ，ｔｈｅ ｎｅｗ ＳＰＬＡＴ ｉｓ ｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙ ｅｍｐｌｏｙｅｄ ｔｏ ｓｉｍｕｌａｔｅ ｔｈｅ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ ｏｎ ｔｈｅ ｒｅ． ｓｉｓｔ．ｃｏａｔｅｄ ｗａｆｅｒ．ａｎｄ ｂｏｔｔｏｍ ａｎｔｉ．ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔ— ｉｎｇ（ＢＡＲＣ）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｓ ｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ＡＲ３ ａｎｔｉ．ｒｅｆｌｅｃｔａｎｔ．Ｔｈｅｎ ｔｈｅ ｗｅｌｌ—ｋｎｏｗｎ Ｄｉｌｌ’ｓ Ｔａｂｌｅ １ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｆｏｒ ｈａｒｄ—ｃｏｎｔａｃｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ＵＶＴＭｌ ｌ３ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅ－ ｓｉｓｔ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｔｅｐ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｎ‘ｉｌｌ∞ｎ＝１．５７７，ｎ ｉｔ＝１．７８６， ｋ ｉｌｉ ＝一３．５８８，ｒｔＡＲ３：１．４６， Ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ ｋＡ１ｔ３：一０．４７，ｆｏｃｕｓ ０， ［１３，１５］ Ｊ＝１３ｒｒｄ／ｃｍ ，ＫｒＦ． ＮＡ＝０．６３， ＝０．６ Ｄｉｌｌ Ａ＝０，０７４６￣ｍ～・ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ ＤｉＤｉｌｌ Ｃｌｌ Ｂ＝０．５６３％ｍ。。。． ＝０．０４１ｌｃｍ２／ｍＪ． ［１５，１６］ ［ＰＡＧ］ｏ＝ｉ Ｔｉｍｅ＝９０ｓ， Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ＝１２５￣Ｃ。 ｋ１＝０．７０６８ｓ～， Ｐｏｓｔ．ｂａｋｅ ｋ２＝０．０００１ｓ。。。。 ［１５～１７３ Ｐ＝１，ｒ＝１，ｑ １．３４， ［口］＝０．２６４，Ｍｏ＝１ Ｎ １．３４５，Ｒｍａｘ ０．８９４４Ｆｍ／ｓ， Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈ Ｒ ｉ ＝５．８×１０ Ｆｍ／ｓ， ｎｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ —ｎｏｔｃｈ＝２２．３６７， ［１８］ Ｍ【ｎ。ｔ ｈ＝０．５８６，Ｔｉｍｅ＝４５ｓ， 一 Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ＝２０＂Ｃ ＡＢＣ ｍｏｄｅｌ［ 。ｗｈｉｃｈ ｗａｓ ｆｉｒｓｔ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ ｔｏ ｍｏｄｅｌ ｔｈｅ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｄｉａｚｏ—ｔｙｐｅ ｒｅｓｉｓｔｓ，ｉｓ ｅｍ— ｐｌｏｙｅｄ ｔｏ ｍｏｄｅｌ ｔｈｅ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ— ｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ．Ｄｉｌｌ’ｓ ＡＢＣ ｍｏｄｅｌ ｉｓ ｕｓｅｄ ｔｏ ｄｅｓｃｒｉｂｅ ｔｈｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｓ ａ［Ｐ ＡＧ———ａ —ｔ 一］：一ＣＤｉｌｌ Ｉ［－ＰＡＧ］ （７） ｏｔ＝Ａ １［ＰＡＧ］＋Ｂ Ｄｉ１ｌ （８） ｗｈｅｒｅ Ａ Ｄｉｌｌ（／ａｍ ），Ｂ Ｄｉ１ｌ（／ａｍ一 ），ａｎｄ Ｃ Ｄｉｌｌ（ｃｍ ／ ｍＪ）ａｒｅ ｔｈｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ Ｄｉｌｌ’ｓ ＡＢＣ ｍｏｄｅ１． ［ＰＡＧ］ｉｓ ａ ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｐｈｏｔｏａｃ． ｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ，ａｎｄ Ｉ ｉｓ ｔｈｅ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ ｐｏｗｅｒ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｂｔａｉｎｅｄ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ ｓｉｍ． ｕｌａｔｉｏｎ．Ｅｑｕａｔｉｏｎｓ（７）ａｎｄ（８）ａｒｅ ｕｓｅｄ ｔｏ ｃａｌｃｕ． １ａｔｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ Ｌ Ｊ ａｎｄ ｔｈｅ ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ａｃｉｄ ｇｅｎ． ｃｒａｔｅｄ．Ａｆｔｅｒ ｔｈｅ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｉｓ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ，ｔｈｅ ｎｏｒ— ｍａｌｉｚｅｄ ａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｅｄ ｉｓ［Ａ］（Ｏ）＝１一［ＰＡＧ］， ｗｈｉｃｈ ｗｉｌｌ ｂｅ ｕｓｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｉｎｉｔｉａｌ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｆｏｒ ｔｈｅ ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ ｐｏｓｔ—ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ． Ｔｈｅ ｅｘａｃｔ ｃｈａｎｇｅｓ ａｎｄ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｐｏｓｔ—ｂａｋｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｒｅ ｃｏｍｐｌｅｘ，ｂｕｔ ａ ｒｅｌａｔｉｖｅｌｙ ｓｉｍｐｌｅ ｔｈｅｏｒｙ ｉｓ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ ｔｏ ｅｘｐｌａｉｎ ｔｈｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍｅｃｈａｎｉｓｍＥ ．Ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｉｓ ｔｈｅｏｒｙ。ｔｈｅ ｒｅａｃ ｔｉｏｎ ｏｃｃｕｒｒｉｎｇ ｉｎ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃｅｌｌｓ ｃａｎ ｂｅ ｄｅ． ｓｃｒｉｂｅｄ ｂｙ ａ ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ ｍｏｄｅｌ ｇｉｖｅｎ ｂｙ ｍｉ，ｉ，ｋ（ｔ）＝ｍｉ，ｉ（ｔ一 ）一ｋ１ ＥＡ］Ｉ。ｆ。 （ｔ一 ）× ｍｆ＿ｊ． （ｔ—Ｔ）×Ｔ （９） ＥＡ］ｉ，，． （ｔ）＝［ ］ｌＩｊ， （ｔ一 ）一 ｋ ２［ ］ ． （ｔ一 ）×Ｔ （１０） ｗｈｅｒｅ Ｔ ｉｓ ｔｈｅ ｔｉｍｅ ｓｔｅｐ ｉｎ ｔｈｅ ｐｏｓｔ．ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａ． ｔｉｏｎ，［ ］ ． （ｔ）ｉｓ ｔｈｅ ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｅｄ ｉｎ ｃｅｌｌ（ｉ，ｊ，ｋ）ａｔ ｔｉｍｅ ｔ，ａｎｄ ｔｈｅ ｉｎｉｔｉａｌ ｖａｌｕｅ ｏｆ ［Ａ］ｌｌｊ。 （ｔ）ｉｓ［Ａ］ ． （０）．Ａｌｓｏ，ｍｉ，ｊ，ｋ（ｔ）ｉｓ ｔｈｅ ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｉｎ ｃｅｌｌ（ｉ，ｆ， ｋ）ａｔ ｔｉｍｅ ｔ，ｋ】ａｎｄ ｋ ２ ａｒｅ ｔｈｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｒａｔｅ ｃｏｅｆ． ｆｉｃｉｅｎｔｓ，ａｎｄ ｑ ｉｓ ａ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｒｅｌａｔｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｔｙｐｅ ｏｆ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ．Ｔｈｅ ｆｉｎａｌ ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ ｃｏｎ— ｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｍ ｆ．“ ａｆｔｅｒ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｐｏｓｔ—ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｃａｎ ｂｅ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ｕｓｉｎｇ Ｅｑｓ． （９）ａｎｄ（１０）．Ｔｈｕｓ，ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｎｏｔｃｈ ｍｏｄ． ｅｌｃ 。ｔｈｅ ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｆｏｒ ａｌｌ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃｅｌｌｓ ｃａｎ ｂｅ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ｂｙ Ｒ（ｍｊ。ｉ，ｋ）＝Ｒ ４ｘ（１一ｍｌ，Ｊ。 ） × （ａ＋１）（１一ｍｆ。ｊ。 ）ｎ＿ｎｏｔｃｈ ａ＋（１一ｍｉ，ｊ，ｋ） 曲 ＋Ｒ ｉ （１１） （ｎ ｎｏｔｃｈ＋１） ａ＝ ＝＿１——（１一Ｍｔｈ Ｄｔ ｈ）ｎ＿Ｄ。 （１２） （ｎ ｎｏｔｃｈ一１） ｗｈｅｒｅ Ｒ ｉｓ ｔｈｅ ｍａｘｉｍｕｍ ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｏｆ ｔｈｅ ｐｈｏ— ｔｏｒｅｓｉｓｔ，Ｒ Ｉ ｉｓ ｔｈｅ ｍｉｎｉｍｕｍ ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｏｆ ｔｈｅ ｐｈｏ— ｔｏｒｅｓｉｓｔ， ｉｓ ｔｈｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ，ｎ ｎｏｔｃｈ ｉｓ ｔｈｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｎｏｔｃｈ，Ｍｔｈ ａｏｔｅｈ ｉＳ ｔｈｅ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｗｈｅｒｅ ｔｈｅ ｎｏｔｃｈ ｏｃｃｕｒｓ，ａｎｄ ｍ ｉ．ｊ． ｉｓ ｔｈｅ ｆｉｎａｌ ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｉｎ ｃｅｌｌ（ｉ，ｆ，ｋ）． Ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ａｖａｉｌａｂｌｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｖａｌｕｅｓ ｏｆ ＵＶ Ｍ １１３ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅ． ｓｉｓｔＥ ，ａｓ ｌｉｓｔｅｄ ｉｎ Ｔａｂｌｅ １。ｔｈｅ ｅｔｃｈ ｒａｔｅ ｆｏｒ ａｌｌ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃｅｌｌｓ ｃａｎ ｂｅ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ ｓｏ ｔｈａｔ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｃａｎ ｂｅ ｅｍｐｌｏｙｅｄ ｔｏ ａｃｃｏｍ． ｐｌｉｓｈ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｔｈｕｓ ｔｈｅ ｗｈｏｌｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｏｆ ＵＶ １ １３ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃａｎ ｂｅ ｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙ ｓｉｍｕ— ｌａｔｅｄ． Ｆｉｇｕｒｅｓ ４ ａｎｄ ５ ｓｈｏｗ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅｓ 维普资讯 http://www.cqvip.com
第４期 Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ ｅｔ ａ１．： Ｐｈ０ｔ０ｌｉｔｈ０ｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ… ７０９ ｏｆ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｏｆ ＵＶ Ｍ １ １３ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃｏｒ— ｉｎｇ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓＬ ］．Ｆｉｇｕｒｅｓ ５（ａ）ａｎｄ（ｂ） ｓｈｏｗ ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎａｌ ｖｉｅｗｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ［ ８］ｆｏｒ ｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｔｏ ｔｗｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｍａｓｋ ｓｈａｐｅｓ．Ｆｉｇｕｒｅｓ ４（ａ）ａｎｄ（ｂ）ａｒｅ ３Ｄ ｖｉｅｗｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅ— ｓｕｉｔｓ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｔｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｉｍｅ ｓｔｅｐｓ．Ｔｈｅ ｌ１０ｎｍ／２２０ｎｍ ｌｉｎｅ／ｓｐａｃｅ ｗｉｔｈ ａ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｆｏｃｕｓ ｖａｌｕｅ ｏｆ一０．２．Ｔｈｅ ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅ ｉｎ Ｆｉｇ．５ ｉＳ ４５ｓ． ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅｓ ａｒｅ ２２ｓ ａｎｄ ４５ｓ ｆｏｒ Ｆｉｇｓ．４（ａ）ａｎｄ （ｂ），ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｆｉｇｕｒｅｓ ４（ｅ）ａｎｄ（ｄ）ａｒｅ ｃｒｏｓｓ— Ｔｈｅ ａｂｏｖｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｇｒｅｅ ｗｅｌｌ ｗｉｔｈ ａ— ｓｅｃｔｉｏｎａｌ ｖｉｅｗｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄ ｖａｉｌａｂｌｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ． ８８ ８８ （ｃ） Ｆｉｇ．４ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅｓ ｏｆ ｐｈ０ｔ０ｌｉｔｈ０ｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ ＵＶ １１３ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ （ａ）， （ｂ）３Ｄ ｖｉｅｗ ｏｆ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｔｏ ２２ｓ ａｎｄ ４５ｓ；（ｃ），（ｄ）Ｃｒｏｓｓ，ｓｅｃｔｉｏｎ ｖｉｅｗ ｏｆ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ［ 。］ Ｆｉｇ．５ Ｃｒｏｓｓ．ｓｅｃｔｉｏｎ ｖｉｅｗ ｏｆ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ（ａ）ａｎｄ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ（ｂ）ｒｅｓｕｌｔｓ 。 ｆｏｒ ｌｌＯｎｍ／２２０ｎｍ ｌｉｎｅ／ｓｐａｃｅ ｗｉｔｈ ａ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｆｏｃｕｓ ｖａｌｕｅ ｏｆ一０．２ Ｆｉｇｕｒｅ ６ ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａ— Ａｌｔｈｏｕｇｈ ｏｎｌｙ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｆｏｒ ｃａｐａｃｉｔｏｒ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，ｗｈｉｃｈ ａｌｓｏ ａ－ ｏｆ ＵＶＴＭ １１３ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｉＳ ｇｒｅｅｓ ｗｉｔｈ ａｖａｉｌａｂｌｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓＬ３’ ．Ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ｓｉｎｃｅ ｔｈｅ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ，ｅｘ． ｒｅｓｕｌｔｓ ｉｎｄｉｃａｔｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕ－ ｐｏｓｕｒｅ，ｐｏｓｔ—ｂａｋｅ，ａｎｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａ— ｌａｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｃａｎ ｂｅ ＳＵＣ－ ｔｉｏｎｓ ａｒｅ ｒｅｌａｔｉｖｅｌｙ ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔ，ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ｃｅｓｓｆｕｌｌｙ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｏｔｈｅｒ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈ— ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｔｅｐｓ，ＳＯ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎｇ ａｎｄ ３Ｄ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｐｏｓｔ－ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｃａｎ ｂｅ ａｃｃｕ— ｂａｋｅ ｃａｎ ａｌｓｏ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙ ｓｉｍｕｌａｔｅ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇ－ ｒａｔｅｌｙ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ． ｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｏｔｈｅｒ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ． 维普资讯 http://www.cqvip.com
７ｌＯ 半导体学报 第２７卷 ｇｉ、Ｉ＿暑ｕ口 ６ ６ Ｆｉｇ．６ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｆｉｌｅｓ ｆｏｒ ｃａｐａｃｉｔｏｒ ｆａｂ— ｒｉｃａｔｉｏｎ（ａ）ａｎｄ（ｂ）ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄ ｔｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｔｉｍｅｓ． ４ Ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎ Ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ａｎｄ ｐｏｓｔ．ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ３Ｄ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙ ｉｎ． ｔｅｇｒａｔｅｄ ｗｉｔｈ ａｅｒｉａｌ ｉｍａｇｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｅｘｐｏ． ｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ ＵＶ １ １３ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍ． ｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ．Ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ａ． ｇｒｅｅ ｗｅｌｌ ｗｉｔｈ ａｖａｉｌａｂｌｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ．ｉｎｄｉ． ｃａｔｉｎｇ ｔｈａｔ ｔｈｅ ３Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏ— ｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ３Ｄ ＣＡ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｏｓｔ－ｂａｋｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｒｅ ａｃｃｕｒａｔｅ，ｆａｓｔ，ａｎｄ ｃａｎ ｂｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｏｔｈｅｒ ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｔｅｐｓ．Ｔｈｉｓ ｗｉｌｌ ｂｅ ｕｓｅｆｕｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅ—ｓｉｚｅｄ ｆａｂ ｒｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ＩＣ ａｎｄ ＭＥＭＳ． Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ ［１］Ｓｔｒｏｊｗａｓ Ａ Ｊ，Ｚｈｕ Ｚｈｅｎｇｒｏｎｇ，Ｃｉｐｌｉｃｋａｓ Ｄ．ｅｔ ａ１．Ｌａｙｏｕｔ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂ订ｉｔｙ ａｎａｌｙｓｉｓ ｕｓｉｎｇ ｒｉｇｏｒｏｕｓ ３－Ｄ ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，２００１：２６３ ［２］Ｃｏｌｅ Ｄ Ｃ，Ｂａｒｏｕｃｈ Ｅ，Ｃｏｎｒａｄ Ｅ Ｄ，ｅｔ ａ１．Ｕｓｉｎｇ ａｄｖａｎｃｅｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｏ ａｉｄ ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ，２００１，８９（８）：１１９４ ［３］Ｋａｒａｆｙｌｌｉｄｉｓ Ｉ．Ａ ｔｈｒｅｅ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｉｍｕ－ ｌａｔｏｒ ｆｏｒ ＴＣＡＤ．Ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉ－ ｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，１９９９，７（２）：１５７ ［４一 Ｎｅｕｍａｎｎ Ｊ．Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ ｓｅｌｆ－ｒｅｐｒｏｄｕｃｉｎｇ ａｕｔｏｍａｔａ．Ｕｒｂａｎａ： Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｉｌｌｉｎｏｉｓ Ｐｒｅｓｓ，１９６６ ［５］Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ，Ｈｕａｎｇ Ｑｉｎｇ’ａｎ，Ｌｉ Ｗｅｉｈｕａ，ｅｔ ａ１．Ａ ｎｏｖｅｌ ２－Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｅｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏ ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００５，１５（３）：６５２ ［６］Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ，Ｈｕａｎｇ Ｑｉｎｇ’ａｎ，Ｌｉ Ｗｅｉｈｕａ，ｅｔ ａ１．Ｎｅｇａｔｉｖｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｉｎ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒ－ ｃｕｌｔｓ ａｎｄ ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈｅｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ．ＩＣＯ－ ２０，２００５ ［７］Ｓｔｒａｓｓｅｒ Ｅ，Ｓｅｌｂｅｒｈｅｒｒ Ｓ．Ａｌｇｏｒｉｔｈｍｓ ａｎｄ ｍｏｄｅｌｓ ｆｏｒ ｃｅｌｌｕｌａｒ ｂａｓｅｄ ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ－Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｓｙｓｔｅｍｓ，１９９５，１４（５）：１１０４ ［８］Ｋａｒａｆｙｌｌｉｄｉｓ Ｉ，Ｇｅｏｒｇｏｕｌａｓ Ｎ，Ｈａｇｏｕｅｌ Ｐ Ｉ，ｅｔ ａ１．Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ－ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ ｇｒａｎｕｌａｒ ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ ｆｏｒ ＴＣＡＤ．Ｍｏｄｅｌ－ ｉｎｇ ａｎｄ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， １９９８，６（２）：１９９ ［９］Ｈｕａｎｇ Ｑｉｎｇ’ａｎ，Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ，Ｌｉ Ｗｅｉｈｕａ，ｅｔ ａ１．Ａ ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ ａｌｇｏｒｉｔｈｍ ｆｏｒ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｍｏｖｅｍｅｎｔ ｏｆ ｄｅｐ。 ｏｓｉｔｉｏｎ ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００６，１６（１）：１ ［１Ｏ］Ｊｉａｎｇ Ｙａｎｆｅｎｇ，Ｈｕａｎｇ Ｑｉｎｇ’ａｎ．Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ａｎｉｓｏ－ ｔｒｏｐｉｃ ｅｔｃｈｉｎｇ ｕｓｉｎｇ ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ ｍｅｔｈｏｄ．Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ－ ｎａｌ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，２００５，２６（３）：６１８（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）［姜岩 峰，黄庆安．硅各向异性腐蚀的原子级模拟．半导体学报， ２００５，２６（３）：６１８］ Ｆｉｌｌ Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ，Ｈｕａｎｇ Ｑｉｎｇ’ａｎ，Ｌｉ Ｗｅｉｈｕａ。ｅｔ ａ１．Ａ ｎｏｖｅｌ ３－Ｄ ｄｙｎａｍｉｃ ｃｅｌｌｕｌａｒ ａｕｔｏｍａｔａ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ－Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ａｃｃｅｐｔｅｄ ［１２－ １Ｆｅｒｇｕｓｏｎ Ｒ Ａ．Ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｋｉｎｅｔｉｃｓ ｉｎ ａｄｖａｎｃｅｄ ｒｅｓｉｓｔ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ｆｏｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ．ＰｈＤ Ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，Ｂｅｒｋｅｌｅｙ，１９９１ ［１３］Ｙｅｕｎｇ Ｓ，Ｄｅｒｅｋ Ｌ，Ｒｏｂｅｒｔ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｈｏｐｋｉｎｓ ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ ｐａｒｔｉａｌｌｙ ｃｏｈｅｒｅｎｔ ｉｍａｇｉｎｇ ｔｏ ｉｎｃｌｕｄｅ ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ ｉｎ－ ｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｅｆｆｅｃｔｓ．Ｐｒｏｃ ＳＰＩＥ，１９９３，１９２７：４５２ ［１４］Ｄｉｌｌ Ｆ Ｈ，Ｎｅｕｒｅｕｔｈｅｒ Ａ Ｒ，Ｔｕｔｔｌｅ Ｊ Ａ．ｅｔ ａ１．Ｍｏｄｅｌｉｎｇ ｐｒｏｊｅｅ． ｔｉｏｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｏｆ ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，１９７５，２２（２）：４５６ Ｌ１５］ Ｅｒｄｍａｎｎ Ａ，Ｈｅｎｋｅ Ｗ，Ｒｏｂｅｒｔｓｏｎ Ｓ。ｅｔ ａ１．Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｐｐｒｏａｃｈｅｓ ｆｏｒ ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｒｅｓｉｓｔｓ．Ｐｒｏｃ ＳＰＩＥ，２００１，４４０４：９９ Ｌ１６ｊ Ｒｏｂｅｒｓｏｎ Ｓ，Ｍａｃｋ Ｃ Ａ，Ｍａｓｌｏｗ Ｍ．Ｔｏｗａｒｄｓ ａ ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ｒｅ。 ｓｉｓｔ ｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｐｒｏｃ ＳＰＩＥ， ２００１，４００４：１ｌ１ ［１７］Ｊａｋａｔｄａｒ Ｎ，Ｂａｏ Ｊ Ｗ，Ｓｐａｎｏｓ Ｃ Ｊ．ｅｔ ａ１．Ａ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｅｘｔｒａｃ． ｔｉｏｎ ｆｒａｍｅｗｏｒｋ ｆｏｒ ＤＵＶ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｐｒｏｃ ＳＨＥ， １９９９，３６７７：４４７ ［１８－１ Ｂａｌｕｓｗａｍｙ Ｐ，Ｗｅａｔｈｅｒｌｙ Ａ，Ｋｅｗｌｅｙ Ｄ，ｅｔ ａ１．Ｐｒａｃｔｉｃａｌ ｒｅｓｉｓｔ ｍｏｄｅｌ ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ．Ｐｒｏｃ ＳＰＩＥ，２００３，５０４０：１５５６ 维普资讯 http://www.cqvip.com
第４期 Ｚｈｏｕ Ｚａｉｆａ ｅｔ ａ１．： Ｐｈ０ｔ０ｌｉｔｈ０ｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ ａｎｄ… ７１ １ 集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻工艺模拟 周再发 黄庆安 李伟华 （东南大学ＭＥＭＳ教育部重点实验室，南京２１００９６） 摘要：基于３Ｄ元胞自动机方法实现了影像成形、曝光、后烘和光刻胶刻蚀过程等集成电路和微电子机械系统加工 过程中的光刻过程模拟模块的集成．模拟结果与已有实验结果一致，表明基于３Ｄ元胞自动机方法的后烘和光刻胶 划蚀模拟模块的有效性，这对于实现集成电路和微电子机械系统的器件级的工艺模拟具有一定的实用性． 关键词：元胞自动机；工艺模拟；光刻模拟；模型；计算机辅助设计 ＥＥＡＣＣ：２５７０；２５６０；２５５０Ｅ 中图分类号：ＴＮ４ 文献标识码：Ａ 文章编号：０２５３—４１７７《２００６）０４－０７０５－０７ ＊国家杰出青年科学基金资助项目（批准号：５０３２５５１９） 十通信作者．Ｅｍａｉｌ；ｚｈｏｕｚａｉｆａ＠ｙａｈｏｏ．ｔｏｍ．Ｃｌｌ ２００６．Ｏ１．１７收到，２００６．０２－１５定稿 ＠２００６中国电子学会
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