专利名称：处理晶片的方法、晶片及制造半导体器件的方法专利类型：发明专利
发明人：曼弗雷德·恩格尔哈德特,卡尔·迈尔,古德伦·斯特兰兹
尔,马丁·泽加加
申请号：CN201310233781.4申请日：20130613公开号：CN103489829A公开日：20140101
摘要：本申请提供了处理晶片的方法、晶片以及制造半导体器件的方法。用于处理晶片的方法包括：提供具有多个裸片区域和多个切面区域的晶片；在多个裸片区域中形成金属化区域；以及向晶片施加气体合成物，气体合成物蚀刻掉多个切面区域。所述晶片包括多个裸片区域；位于多个裸片区域之间的多个切面区域；以及位于裸片区域上的金属化区域。制造半导体器件的方法包括：提供具有多个裸片区域和多个切面区域的半导体裸片；在多个裸片区域中形成金属化区域；以及向所述晶片施加气体合成物，气体合成物蚀刻掉多个切面区域。
申请人：英飞凌科技股份有限公司
地址：德国瑙伊比贝尔格市
国籍：DE
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容