专利名称：一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件及其制
造方法
专利类型：发明专利发明人：关世瑛,王金秋申请号：CN201811560544.8申请日：20181220公开号：CN109509795A公开日：20190322
摘要：本发明公开了一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件；该器件具有复合结构的沟槽，沟槽的顶部有P型掺杂区，沟槽侧壁有绝缘层区，沟槽底部有P型掺杂区，沟槽底部P型掺杂区是由2个或多个掺杂的错位叠加刻蚀的沟槽底角构成，较传统沟槽型JBS肖特基器件，更容易实现深的、窄的、底角曲率半径大的沟槽，优化器件性能；另外，本发明的碳化硅肖特基器件的制程，与传统的沟槽型JBS肖特基器件的制程兼容，容易实现。
申请人：上海芯石半导体股份有限公司
地址：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1152-B室
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容