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稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管及制备方法[发明专利]

来源:爱站旅游
导读稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管及制备方法[发明专利]
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管及制

备方法

专利类型:发明专利

发明人:塔力哈尔·夏依木拉提,李文亮,彭敏,冯艳,谢宁申请号:CN201610237551.9申请日:20160414公开号:CN105742347A公开日:20160706

摘要:本发明涉及一种稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管及制备方法,它包括栅极、支撑层、源漏电极、微纳单晶半导体和气体间隙绝缘层。栅极为衬底,栅极上部设置有支撑层,支撑层上部两侧各设置有一个源漏电极,在两源漏电极之间设置有微纳单晶半导体;位于两源漏电极之间的微纳单晶半导体下方,在支撑层上纵向间隔设置有若干沟道,相邻沟道之间形成沟槽;由栅极上部、微纳单晶半导体下部和支撑层中间的沟槽构成若干个气体间隙绝缘层。本发明场效应晶体管结构更加稳定,避免了纳米线在感应电场的作用下塌陷,并无法正常工作的问题。

申请人:塔力哈尔·夏依木拉提

地址:830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市沙依巴克区南昌路236号

国籍:CN

代理机构:北京纪凯知识产权代理有限公司

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