专利名称：集成电路和器件专利类型：实用新型专利
发明人：P·波伊文,J·J·法戈,E·佩蒂特普瑞兹,E·苏谢尔,O·韦伯申请号：CN201920454682.1申请日：20190404公开号：CN209843710U公开日：20191224
摘要：本公开的实施例涉及包括集成电路和器件。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路。在一个实施例中，集成电路包括双极晶体管行，该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极，共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之间。绝缘沟槽与双极晶体管行中的每个双极晶体管接触。导电层位于绝缘沟槽和共用基极上，位于第一导电区域之间。间隔件层位于导电层和第一导电区域之间。
申请人：意法半导体(克洛尔2)公司,意法半导体(鲁塞)公司
地址：法国克洛尔
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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