一种MOS栅控晶闸管[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种MOS栅控晶闸管专利类型：发明专利

发明人：胡飞,宋李梅,韩郑生,杜寰申请号：CN2018115222.5申请日：20181213公开号：CN109616518A公开日：20190412

摘要：本发明提供一种MOS栅控晶闸管。所述MOS栅控晶闸管包括阴极、栅极和阳极三个电极，其中，所述栅极包括NMOS和PMOS，所述MOS栅控晶闸管还包括N‑P‑N‑P四层结构区和P扩散区，其中，所述N‑P‑N‑P四层结构区包括N+阴极区、P基区、N型漂移区、N+缓冲层和P+阳极区，所述N型漂移区中靠近所述P扩散区的区域内设置N型埋层。本发明能够抑制基极电阻控制晶闸管BRT和发射极开关晶闸管EST开启过程中的snapback现象，从而能够解决多元胞开启不一致问题，提高器件工作可靠性。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号

国籍：CN

代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：张瑾

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