专利名称：一种封装结构、应用其的低熔点金属器件专利类型：实用新型专利
发明人：郑翰,董仕晋,班茹悦,于洋,刘静申请号：CN201821311688.5申请日：20180814公开号：CN208768334U公开日：20190419
摘要：本实用新型提供一种封装结构、应用其的低熔点金属器件，涉及电子封装技术领域。本实用新型提供的封装结构用于对基材上的低熔点金属线路进行封装，所述封装结构包括：依次覆盖于所述低熔点金属线路上的一层保护层、至少一层粘接层和一层隔离层；其中，所述保护层直接与所述低熔点金属线路接触，所述保护层用于防止所述低熔点金属线路变形，所述粘接层用于粘接所述保护层和所述隔离层，所述隔离层用于隔绝空气和水蒸汽。本实用新型的技术方案能够防止低熔点金属线路变形，且防止空气和水蒸汽与低熔点金属线路接触。
申请人：北京梦之墨科技有限公司
地址：100081 北京市海淀区北四环西路67号中关村国际创新大厦505
国籍：CN
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