专利名称：一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦申请号：CN201610008928.3申请日：20160107公开号：CN106952917A公开日：20170714
摘要：本发明提供一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成。本发明的SOI六晶体管SRAM单元中，组成第一反相器及第二反相器的四个晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力。并且本发明的制作方法还具有制造工艺简单、与现有逻辑工艺完全兼容等优点，单元内部采用中心对称结构以及单元之间的共享结构，使其方便形成存储阵列，有利于缩短设计SRAM芯片的周期。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海市长宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：余明伟
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