专利名称：一种深沟槽大功率P型MOS器件专利类型：实用新型专利发明人：朱袁正,秦旭光申请号：CN200820030791.2申请日：20080108公开号：CN201146192Y公开日：20081105
摘要：本实用新型涉及一种深沟槽大功率P型MOS器件。这种MOS器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成，由于保护环和截止环均采用沟槽型导电多晶硅，在器件制造过程中，单胞栅电极引线采用直接在沟槽多晶硅上开孔引线，因此与现有普通平面式场板结构的深沟槽大功率MOS器件制造方法相比，在不影响器件性能的前提下，减少了两块光刻版及相应工艺，大大降低制造成本。同时，采用一次磷注入，然后再采用一次硼注入以及配套的退火工艺来调节导电多晶硅电阻，大大降低栅极和源极间的漏电流，并且保证了在不增加N阱浓度的前提下获得合理的阈值电压。
申请人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
地址：215021 江苏省苏州市苏州工业园区机场路328号国际科技园C301单元
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：马明渡
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