一种非制冷红外探测器芯片及其封装结构和制备方法[发明专利]

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专利名称：一种非制冷红外探测器芯片及其封装结构和制备方

法

专利类型：发明专利

发明人：蔡光艳,马占锋,高健飞,黄立申请号：CN201810031317.X申请日：20180112公开号：CN1083912A公开日：20180810

摘要：本发明公开了一种利用MEMS(微机电)工艺制备的芯片及其封装结构，通过在芯片主体上生长出牺牲层，利用MEMS工艺刻蚀牺牲层并注入金属，由此将PAD(芯片上的电路外接点)转移到芯片侧壁，同时通过在划片槽中相应的地方注入金属连接相邻芯片侧壁的PAD，从而把侧壁的PAD引到侧壁底端，再通过切割划片槽获得侧壁带PAD的单个芯片，此方法得到的芯片，直接上下贴合即可完成电连接，用简单的封装卡槽即可进行集成，且适用于芯片级封装、圆晶级封装、像元级封装，省去了封装打线的工艺、减小了芯片封装面积，其集成度高，工艺步骤简化，可大批量生产，且成本进一步减小。

申请人：武汉高芯科技有限公司

地址：430205 湖北省武汉市洪山区东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

国籍：CN

代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：张强

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