专利名称：保护膜形成方法专利类型：发明专利
发明人：塚泽尚悟,萧志翔,石田雅史,高桥豊,远藤笃史申请号：CN201811367054.6申请日：20181116公开号：CN109860021A公开日：20190607
摘要：本发明提供了保护膜形成方法。该方法中，在基板的表面上形成的相邻的凹陷形状之间的平坦表面区域上沉积有机金属化合物或有机半金属化合物的氧化物膜。然后，通过蚀刻除去沉积在平坦表面区域上的氧化物膜的侧部。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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