专利名称：一种新型的铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层材料
的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：杨雯,赵恒利,杨培志,段良飞,李学铭申请号：CN201510445316.6申请日：20150727公开号：CN105047736A公开日：20151111
摘要：本发明公开一种制备铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池无镉缓冲层材料的方法，该方法的特征是采用ZnS靶（源）、Mg靶（源）通过磁控溅射设备进行共溅射，得到ZnMgS缓冲层材料。此方法具有工艺简单、无污染、沉积速度快、便于大规模生产等特点。ZnMgS作为CIGS薄膜太阳电池的一种新型缓冲层材料，能够替代CdS，具有无镉、环境友好的特点；通过调节ZnS的Mg掺杂比例，可得到比ZnS更合适的晶格参数，降低了其与吸收层CIGS界面间的失配度，改善了界面质量；随着Mg含量x的变化，还能调节ZnMgS薄膜的带隙，弥补硫化锌带隙偏小的缺点；同时，ZnMgS的带隙拓宽还可增强紫外区的透光率，进而提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率。
申请人：云南师范大学
地址：650500 云南省昆明市呈贡新区雨花片区1号云南师范大学
国籍：CN
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