专利名称：沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN201711394835.X申请日：20171221公开号：CN108133894A公开日：20180608
摘要：一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、P型体区、沟槽；在所述沟槽内壁依序形成栅氧化层及第一多晶硅；在所述沟槽中的栅氧化层、第一多晶硅上及所述P型体区上形成第二多晶硅；对所述第二多晶硅进行热处理，使得所述第二多晶硅中的N型杂质进入所述P型体区邻近所述多晶硅的表面，从而在所述P型体区邻近所述第二多晶硅的表面形成N型源区，并且所述沟槽外侧的第二多晶硅被氧化为位于所述N型源区上的二氧化硅；对所述二氧化硅、所述N型源区及所述P型体区进行刻蚀，从而形成贯穿所述沟槽两侧的二氧化硅及N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；形成正面金属层与背面金属。
申请人：深圳市晶特智造科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼
国籍：CN
代理机构：深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹明兰
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容