一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201110255268.6 （22）申请日 2011.09.01

（71）申请人 苏州博创集成电路设计有限公司

地址 215000 江苏省苏州市工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层

（10）申请公布号 CN102299173B

（43）申请公布日 2013.03.20

（72）发明人 李海松;王钦;陶平;陈文高;易扬波 （74）专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司

代理人 楼高潮

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管

（57）摘要

本发明公开了一种超结纵向双扩散N

型金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，P型重掺杂半导体接触区呈现“十”字形状，且“十”字形状的P型重掺杂半导体接触区将N型重掺杂半导体源区分

割形成四块互不连通的块体。该结构可以在不影响器件导通电阻性能且不增加工艺制造步骤和困难度的基础上，减少寄生三极管开启的可能性，从而提高器件的雪崩耐量，进一步保证了器件工作在恶劣条件下的可靠性。 法律状态

法律状态公告日2011-12-28 2012-02-15 2013-03-20

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

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权利要求说明书

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说明书

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