专利名称：一种高稳定性单晶硅压差传感器专利类型：发明专利发明人：陈跃,彭芳,雷姣申请号：CN202011558910.3申请日：20201225公开号：CN112729666A公开日：20210430
摘要：本发明涉及传感器领域，具体是一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括传感器壳体，所述传感器壳体的内侧设有中隔板，中隔板上安装有单晶硅传感器芯片，单晶硅传感器芯片的左右侧空间分别为传感器正压腔和传感器负压腔，单晶硅传感器芯片的左右两侧还分别配合连接有第一过压保护膜和第二过压保护膜，第一测量腔的端口安装有第一隔离波纹片，第二测量腔的端口安装有第二隔离波纹片，传感器正压腔内还周向分布设有多个第一通油腔道，传感器负压腔内还周向分布设有多个第二通油腔道。本发明稳定性高，传感器的测量准确性和精度佳，能够适用于复杂的工况，值得推广。
申请人：上海艾靳智能科技有限公司
地址：201100 上海市闵行区中春路988号11幢2楼
国籍：CN
代理机构：上海浙晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：杨小双
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