专利名称：用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：赵东旭,曹萍,吕有明,申德振,李炳辉申请号：CN200710056189.6申请日：20071018公开号：CN101225549A公开日：20080723
摘要：本发明涉及半导体材料p型氧化锌薄膜的制备方法，特别是一种用，n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法，由以下工艺步骤实现：a.将已准备好的n型氧化锌薄膜放入等离子体增强的化学气相沉积生长室；b.打开机械泵抽真空，使真空度小于50Pa；c.衬底加热到预定的温度100～200℃；d.通入氨气，打开射频电源，输入功率为10～30瓦，进行0.5～2h的氨等离子体氮化处理，即实现氧化锌薄膜从n型到p型的转变。本发明是利用等离子体化学气相沉积直接对n型氧化锌薄膜进行后处理，使其发生从n型到p型的转变。其优点是制备工艺简单、材料生长温度低、可以在常压下操作、可重复性比较高、得到的p型比较稳定。
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地址：130033 吉林省长春市东南湖大路16号
国籍：CN
代理机构：长春菁华专利商标代理事务所
代理人：赵炳仁
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